SK하이닉스가 현존 최고 사양 DRAM인 'HBM3'를 업계 최초로 개발했다고 밝혔다.
HBM(High Bandwidth Memory)은 여러 개의 DRAM을 수직으로 연결해 기존 DRAM보다 데이터 처리 속도를 끌어올린 고부가가치, 고성능 제품으로, 이번 HBM3는 1세대(HBM) – 2세대(HBM2) - 3세대(HBM2E)를 이은 HBM 규격의 4세대 제품이다.
SK하이닉스는 지난해 7월 업계 최초로 HBM2E DRAM 양산을 시작한 지 1년 3개월 만에 HBM3를 개발하며 이 시장의 주도권을 확고히 했다.
속도 측면에서 HBM3는 초당 819GB의 데이터를 처리할 수 있다. 이는 FHD(Full-HD)급 영화(5GB) 163편 분량의 데이터를 1초 만에 처리하는 성능으로, 이전 세대인 HBM2E 대비 약 78% 빨라졌다. 이와 함께 이 제품에는 오류정정코드(On Die - Error Correction Code)를 내장해 DRAM 셀(Cell)에 전달된 데이터의 오류를 스스로 보정할 수 있어 제품의 신뢰성도 역시 높였다.
이번 HBM3는 16GB와 24GB 두 가지 용량으로 출시될 예정이다. 특히 24GB는 업계 최대 용량이다. 24GB를 구현하기 위해 SK하이닉스 기술진은 단품 DRAM 칩을 A4 용지 한 장 두께의 1/3인 약 30마이크로미터(μm, 10-6m) 높이로 갈아낸 후 이 칩 12개를 TSV* 기술로 수직 연결해냈다.
SK하이닉스는 HBM3가 고성능 데이터센터에 탑재되며, 인공지능(AI)의 완성도를 높이는 머신러닝(Machine Learning)과 기후변화 해석, 신약개발 등에 사용되는 슈퍼컴퓨터에도 적용될 것으로 전망했다.
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[뉴스] SK하이닉스, TSMC와 손잡고 HBM 기술 리더십 강화 
