´ë¸¸ ÆÄ¿îµå¸® ¾÷ü TSMC°¡ °í¼º´É ÄÄÇ»ÆÃ(HPC) Á¦Ç°ÀÇ ±î´Ù·Î¿î ¿öÅ©·Îµå¿¡ ¸Â°Ô Á¶Á¤µÈ N4X ÇÁ·Î¼¼½º ±â¼úÀ» µµÀÔÇÑ´Ù°í ¹àÇû´Ù.
N4X´Â 5nm(³ª³ë¹ÌÅÍ) Á¦Ç°±º¿¡¼ ÃÖ°íÀÇ ¼º´É°ú ÃÖ´ë Ŭ·° Á֯ļö¸¦ ³ªÅ¸³»´Â TSMCÀÇ HPC Á᫐ ±â¼ú Á¦Ç° °¡¿îµ¥ ù ¹øÂ°·Î 5nm ¾ç»ê °æÇèÀ» Ȱ¿ëÇÏ¿© HPC Á¦Ç°¿¡ ÀÌ»óÀûÀÎ ±â´ÉÀ¸·Î ±â¼úÀ» ´õ¿í Çâ»ó½ÃÄ×´Ù.

ÀÌ·¯ÇÑ ±â´É¿¡´Â ³ôÀº ±¸µ¿ Àü·ù ¹× ÃÖ´ë Á֯ļö¿¡ ÃÖÀûÈµÈ ÀåÄ¡ ¼³°è ¹× ±¸Á¶, °í¼º´É ¼³°è¸¦ À§ÇÑ ¹é¿£µå ¸ÞÅ» ½ºÅà ÃÖÀûÈ, ±ØÇÑÀÇ ¼º´É ºÎÇÏ¿¡¼ °·ÂÇÑ Àü·Â °ø±ÞÀ» À§ÇÑ Ãʰí¹Ðµµ ¸ÞÅ»-Àν¶·¹ÀÌÅÍ-¸ÞÅ» ijÆÐ½ÃÅÍ µîÀÌ ÀÖ´Ù.
TSMC´Â N4X ÇÁ·Î¼¼½º´Â 1.2V¿¡¼ N5 °øÁ¤ ´ëºñ ÃÖ´ë 15%, N4P ´ëºñ ÃÖ´ë 4% Çâ»óµÈ ¼º´ÉÀ» Á¦°øÇÒ ¼ö ÀÖÀ¸¸ç, N4X´Â 1.2V ÀÌ»óÀÇ ±¸µ¿ Àü¾ÐÀ» ´Þ¼ºÇϰí Ãß°¡ ¼º´ÉÀ» Á¦°øÇÒ ¼ö ÀÖ´Ù°í ¼³¸íÇß´Ù. ¶ÇÇÑ °í°´Àº N5 ÇÁ·Î¼¼½ºÀÇ °øÅë ¼³°è ±ÔÄ¢À» Ȱ¿ëÇÏ¿© N4X Á¦Ç° °³¹ßÀ» °¡¼ÓÈ ÇÒ ¼ö ÀÖ´Ù°í ¾ð±ÞÇß´Ù.
TSMC´Â N4X°¡ 2023³â »ó¹Ý±â±îÁö À§Çè »ý»ê(risk production) ´Ü°è¿¡ µé¾î°¥ ¼ö ÀÖÀ» °ÍÀ¸·Î ¿¹»óÇß´Ù.
|