NXP ¹ÝµµÃ¼´Â Àü±âÂ÷ ºÐ¾ß¿¡¼ źȱԼÒ(SiC) ÆÄ¿ö ¹ÝµµÃ¼ ¸ðµâÀÇ Ã¤ÅÃÀ» °¡¼ÓÈÇϱâ À§ÇØ È÷Ÿġ ¿¡³ÊÁö¿Í Çù·ÂÇÑ´Ù°í ¹ßÇ¥Çß´Ù. ÀÌ ÇÁ·ÎÁ§Æ®´Â NXPÀÇ °í±Þ °í¼º´É GD3160 Àý¿¬ HV °ÔÀÌÆ® µå¶óÀ̹ö¿Í È÷Ÿġ ¿¡³ÊÁöÀÇ ·ÎµåÆÑ(RoadPak) ÀÚµ¿Â÷ SiC MOSFET ÆÄ¿ö ¸ðµâ·Î ±¸¼ºµÈ ÆÄ¿öÆ®·¹ÀÎ ÀιöÅ͸¦ À§ÇÑ º¸´Ù È¿À²ÀûÀÌ°í ¾ÈÁ¤ÀûÀÌ¸ç ±â´ÉÀûÀ¸·Î ¾ÈÀüÇÑ SiC MOSFET ±â¹Ý ¼Ö·ç¼ÇÀ» Á¦°øÇÏ´Â °ÍÀ» ¸ñÇ¥·Î ÇÑ´Ù.

È÷Ÿġ ¿¡³ÊÁöÀÇ °í¼º´É ÀÚµ¿Â÷ ÆÄ¿ö ¹ÝµµÃ¼ ¸ðµâ ·ÎµåÆÑ(RoadPak)Àº ¿ì¼öÇÑ ¹æ¿, ÀúÀ¯µµ ÀδöÅϽº(low stray inductances), Àå±âÀûÀÎ ³»±¸¼ºÀ» Á¦°øÇØ ±î´Ù·Î¿î ÀÚµ¿Â÷ ȯ°æ¿¡ °ßµô ¼ö ÀÖµµ·Ï Áö¿øÇϸç, SiC MOSFETÀÇ ¸ðµç ±â´É°ú ÀåÁ¡À» Ȱ¿ëÇÒ ¼ö ÀÖ´Â ÇÙ½É ¿ä¼ÒÀÌ´Ù. ÃÖÀûÀÇ ¼º´ÉÀ» À§ÇØ ÆÄ¿ö ¸ðµâÀº NXPÀÇ GD3160 °íÀü¾Ð Àý¿¬ °ÔÀÌÆ® µå¶óÀ̹ö¿Í Æä¾î¸µµÇ¾î ºü¸£°í ¾ÈÁ¤ÀûÀÎ ½ºÀ§Äª°ú ¿À·ù º¸È£(fault protection)¸¦ Áö¿øÇÑ´Ù.
È÷Ÿġ ¿¡³ÊÁö´Â »ê¾÷ ¹× ¿î¼Û ºÎ¹®¿¡¼ ½×Àº ±â¼ú°ú °æÇèÀ» ±â¹ÝÀ¸·Î Àü±âÂ÷ ¾ÖÇø®ÄÉÀÌ¼Ç¿ë °í¹Ðµµ ·ÎµåÆÑ ÀÚµ¿Â÷ SiC ÆÄ¿ö ¸ðµâÀ» °³¹ßÇϰí ÀÖ´Ù. ·ÎµåÆÑ ÇÏÇÁ ºê¸®Áö ÆÄ¿ö ¸ðµâÀº 1200V SiC MOSFET, ÅëÇÕ ³Ã°¢ ÇÉ ÇÉ(pin-fins), ³·Àº ÀδöÅϽº ¿¬°áÀ» ¸ðµÎ ¼ÒÇü ÆûÆÑÅÍ¿¡ ÅëÇÕÇÑ´Ù. ÀÌ´Â Àü±â¹ö½º¿Í Àü±âÂ÷ºÎÅÍ °í¼º´É Æ÷¹Ä·¯ E(Formula-E) °æÁÖ¿ë Â÷¿¡ À̸£±â±îÁö ´Ù¾çÇÑ °÷¿¡¼ Àû¿ëµÉ ¼ö ÀÖ´Ù.
ÀÚ¼¼ÇÑ ³»¿ëÀº ȨÆäÀÌÁö¿¡¼ È®ÀÎÇÒ ¼ö ÀÖ´Ù.
|