인텔이 공개한 파운드리 로드맵에 따르면 2024년 20A와 18A에 이어 2027년까지 14A-E 공정을 도입할 예정인데, 이들 공정의 개선 사항에 대한 내용이 공개되었다.
광학 및 포노틱스 관련 내용을 다루는 SPIE 2024 컨퍼런스에서 인텔수석 부사장인 Anne Kelleher는 14A(1.4nm) 공정의 전성비는 18A(1.8nm) 대비 15% 개선되며, 그 이후 발표될 14A-E 공정은 일반적인 A14 공정 대비 5% 성능 개선을 목표로 하고 있다. 또한 인텔의 14A 공정은 극자외선 장비(High-NA EUV)를 최초로 사용하게 되며, 18A 공정에 대해 트랜지스터 로직 밀도가 20% 증가할 예정이다.
인텔은 IDM 2.0 전략의 일환으로 2030년까지 삼성전자를 제치고 선도적인 파운드리 업계로 올라서는 것을 목표로 하고 있으며, 전통적인 협력 관계에 있는 MS와 18A 공정 칩 생산에 대한 150억 달러 규모의 계약을 체결한 것이 알려졌다.
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