삼성전자가 80ns 공정을 적용한 1기가비트(Gb: Giga bit) 모바일 DDR D램을 개발했다. 삼성전자는 지난 2004년 5월 256메가비트(Mb:Mega bit), 2005년 1월에 512메가비트 모바일 D램을 개발한 데 이어, 이번에 80ns 1기가 모바일 D램을 개발했다.
기존 1GB DRAM 모듈은 512MBit D램을 2개 적층하여 제작한 까닭에 가격이 높고 두께가 두꺼워 전력소모등이 높았지만 이번 제품은 적층이 필요치 않아 이런 제품의 단점이 해소된다.
또한 80나노 1기가비트 모바일 D램은 온도에 따라 D램의 데이터 유지를 위한 리프레시 주기를 최적화함으로써, 기존의 512메가비트 D램을 2개 적층한 제품과 비교하여 대기 時의 전력 소모를 30% 감소시킬 수 있다.
데이터를 읽고 쓰는 구동 時에도 기존 제품 대비 전류량을 30% 이상 감소시킬 수 있어, 점차 다기능·고성능화되고 있는 모바일 기기에 있어 주요 기술 요인으로 부각되고 있는 저전력 소자 요구에 효과적으로 대응할 수 있다.
크기 측면에 있어서도 기존 제품 대비 20% 이상 얇은 박막형 솔루션 제공이 가능하여, '07년부터 2기가비트 급의 고용량 제품 수요가 예상되는 가운데 초소형 메모리 공급에 있어 유리한 고지를 점하게 됐다.
뿐만 아니라 기존 패키지 사용이 가능하여 추가로 패키지를 개발할 필요가 없게 됨으로써, 개발 기간 단축 및 원가 절감 효과를 얻는 것은 물론 대용량 · 고속 메모리에 대한 시장 요구에 신속히 대응할 수 있다.
삼성전자는 '07년 2분기부터 금번 개발 제품 양산에 들어갈 계획으로, 고용량 모바일 D램 시장이 본격화될 '07년에 모바일 D램 시장 점유율을 현재 50% 수준에서 더욱 확대할 수 있을 것으로 예상된다.
삼성전자는 차세대 제품 개발에서 한발 앞서서 시장을 이끌어 나감으로써 시장 선점을 통한 프리미엄을 확보하고, PC用 제품 뿐만 아니라 그래픽/모바일 분야에서도 D램 시장 확대를 주도하며 고속 성장을 계속해 나갈 전망이다.
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