IBM은 기존 CPU들의 캐쉬 메모리 등에 사용되고 있는 SRAM보다 빠른 기록과 엑세스가 가능하다고 알려진 eDRAM (embedded DRAM)을 ISSCC (International Solid State Circuits Conference)에서 발표했다는 소식이 dailytech에 올라왔다.
IBM의 새로운 eDRAM 기술은 SOI(Silion On Insulator) 기술에 낮은 소비전력을 가지면서도 높은 성능을 가능하게 해준다고 하며, eDRAM 기술을 65nm SOI 디자인 프로세서의 캐쉬 메모리 등에 사용하면 성능을 향상시킬 수 있게 된다고 한다.
또한, eDRAM은 기존의 SRAM과 비교하여 1/3 공간과 1/5의 소비전력을 발휘하면서 동일한 성능을 가질 수 있다고 한다. 이는 칩 공정의 미세화에 따른 SRAM의 누설 전류보다 eDRAM이 적은 트랜지스터와 적은 누설량을 가지기 때문에 eDRAM이 유리하기 때문이다. 그러나, IBM의 45nm 공정 기술은 IBM과 협력하고 있는 AMD CPU들에도 적용될 것인지는 아직 분명하지 않은 상태라고 한다. 2008년 부터는 45nm 공정의 IBM 파워 프로세서에 먼저 eDRAM 기술이 적용될 것이라고 한다.
IBM의 새로운 eDRAM 기술의 스펙은 아래와 같다.
Cell Size : 0.126 mm2
파워 공급 : 1V
유용성 : 98.7%
Tile : 1K Row X 16col X 146 (2Mb)
AC Power : 76mV
Stanby Keep Alive Power : 42mW
Random Cycle Time : 2ns
Latency 1.5ns
현재는 eDRAM을 PC의 CPU 등에 사용될지는 정확히 알려지지 않고 있지만, 이미 게이밍 콘솔들에는 사용되어지고 있다. 대표적으로 Nitendo GameCube의 Flipper 그래픽 프로세서, Wii의 Hollywood GPU, 마이크로소프트 Xbox 360의 Xenos GPU에 이미 eDRAM 기술이 사용되고 있다. 또, 이 세 가지 콘솔의 GPU들은 ATI 기술이 적용되고 있는 상황이다.
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