삼성전자와 마이크론(Micron)을 주축으로 메모리 성능과 전력 효율을 높이기 위한 HMCC(Hybrid Memory Cube Consortion)이 구성된 가운데, IBM 역시 HMC의 컨트롤러 부분을 담당하게 되었다고 cnet이 전했다.
IBM이 담당하게될 컨트롤러는 HMC 성능의 핵심인 Logic Layer에 내장될 온 칩 컨트롤러로, HMC는 다수의 DRAM Layer를 TSV(Through-silicon Via)기술로 연결, 자체적으로 일종의 멀티 채널을 구성해 메모리의 대역폭과 소비전력을 개선하는 기술로, 현재 메모리보다 10배 높은 대역폭과 70% 낮은 전력 소모를 10% 수준의 풋프린트에서 구현할 수 있다.
HMC에 대한 자세한 내용은 보드나라 기사(메모리 대역폭 최대 10배 향상, Micron의 차세대 기술 HMC는 무엇인가?)를 참고하기 바하며, IBM은 자사의 HMC 컨트롤러 담당에 대해, "우리의 진보된 TSV 칩 생산 공정은 마이크론의 HMC 성능을 현재 DRAM 기술보다 최대 15배까지 높여줄 수 있게 될 것"이라고 말했다.
IBM은 HMC관련 컴포넌트를 뉴욕 East Fishkill에 위치한 자사의 공장에서 32nm 공정과 high-K metal gate 기술을 이용해 생산할 계획이며, HMC 칩의 첫 생산은 2012년 하반기가 될 것으로 전망했다.
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