2013년 하반기 낸드 플래시 (NAND Flash) 메인스트림 공정이 20nm급에서 이보다 미세한 1xnm 공정으로 이동할 것이라는 소식이다.
expreview는 낸드 플래시 기술 발전을 통해 낸드 플래시 제조사의 메인스트림은 현재 25nm 공정을 이어 20nm급 공정이 메인스트림으로 이동되었으나 올해 말이면 공정이 보다 미세해진 1xnm급 공정으로 이전할 것이라고 전했다.
전체 낸드 시장은 최근 SSD와 스마트 장치를 위한 빠른 개발이 이루어지고 있으며 SSD 판매도 2012년에서 2017년의 5년 사이 6배 성장이 예상된다. 낸드 시장은 올해 300억달러에 도달할 것으로 예상했다.
올해를 시작으로 메인스트림 낸드 제조사들은 점진적으로 25nm 공정에서 20nm 공정으로 이전할 것으로 알려졌다. 차세대 낸드 플래시는 techinsights가 공개한 낸드 플래시 기술 로드맵에 따르면 올해 말 1xnm 공정으로 업그레이드가 진행될 것으로 예상되며 제조사에 따라 18/ 16/ 15nm 공정을 이용할 것으로 전망했다.
ITRS (Semiconductor international Technology Roadmap)에는 특정 회사가 나오지 않으나 개발 분석 및 공정에 대해 소개하며 2012년 메인스트림은 20nm 공정, 올해 메인스트림은 18nm, 올해 말에는 16nm로 업그레이드가 이루어질 것으로 나타났다.
마이트론과 인텔 (intel) 조인트 벤처인 IMFT는 2013년 3분기 18nm 공정으로 업그레이드, 삼성전자와 SK하이닉스 (SK Hynix) 역시 3분기에 새로운 공정 기술을 업그레이드할 것으로 예상된다. 삼성전자는 16nm 공정, SK하이닉스는 15nm 공정으로 업그레이드할 것으로 전망했다.
도시바 (Toshiba)와 샌드스크 (SanDisk) 조인트 벤처는 19nm 공정으로 업그레이드, 업그레이드 시기는 다른 제조사보다 빠른 올해 2분기부터 1xnm 공정으로 들어설 것으로 예상된다.
공정 기술 업그레이드를 이용하는 제조사 4곳은 MLC를 이용하는데 미세공정 적용에 따라 MLC 컨트롤 게이트 누수 및 라인폭 감소로 인한 수명 및 신뢰성 감소, 낮은 전압 적용 등의 부분에서 MLC는 심각한 도전에 직면할 것으로 알려졌다.
낸드 제조사는 또한 칩 용량 개선을 위해 기존 2D 기술에서 더 나아가 3D 기술로의 업그레이드를 계획하고 있으며 실리콘 레이아웃 서킷 재배열 등이 이루어질 것으로 예상했다. 2013년 말에는 3D 스택 기반의 낸드 플래시가 다양하게 등장할 것으로 전망했다.
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