낸드 플래시 (NAND Flash) 메모리는 현재 SSD (Solid State Drive) 장치의 표준으로 사용되고 있으며 점차 3D 스택 메모리와 진보된 공정 적용으로 이동하는 추세지만 미세공정은 여러 가지 문제점이 있다. 그에 따라 TLC 낸드 플래시도 대안으로 사용되고 있으나 이 역시 내구성 (수명)이나 일부 제품의 성능 저하 문제 등 많은 의문점을 남기고 있다.
이와 같은 낸드 플래시 메모리의 대안으로는 여러 메모리 기술이 제기된 바 있으며 비휘발성 메모리 (Non-Volatile Memory) 기술도 활발하게 개발 중이며 그 중 하나가 RRAM (Resistive RAM)이다.
RRAM은 삼성전자와 샌디스크와 같은 기업들이 참여하고 있으며 미국 크로스바 (Crossbar)도 이에 참여하고 있는데 소식을 전한 mydrivers는 크로스바가 RRAM 첫 샘플을 2015년 초 공개 가능할 것이며 2015년 말 또는 2016년 초 양산될 것이라고 전했다. 고용량 칩 등은 2017년 개발 가능할 것으로 예상했다.
크로스바는 초기에는 임베디드 시장, ASIC, FBGA, SoC 등에 라이센스를 제공할 예정이라고 전했다.
RRAM은 낸드 플래시보다 더 향상된 성능과 수명을 제공하는 것이 특징인데 낸드 플래시보다 빠른 읽기 레이턴시인 최소 50ns 속도 구현, 프로그램/ 삭제 사이클은 최대 수백만 시간으로 약 1천만 시간으로 낸드 플래시의 수천 시간보다 향상된다.
RRAM은 소폭 조정된 CMOS 공정으로 제조되므로 비용 컨트롤에 유리하며 낸드 플래시 특히 3D 스택 낸드 플래시는 값비싼 특별한 툴이 필요해 소수의 제조사가 생산하는 것과 대조적이다. 또 낸드 플래시가 미세공정의 도입이 어려운 상황이며 다음 미세공정이 될 15nm 공정에서 내구성과 성능 저하 등 많은 어려움이 있으나 RRAM은 4-5nm 등 보다 미세한 공정 도입이 가능하며 크로스바는 연구실에 8nm RRAM 칩을 전시했다.
크로스바는 현재 3층 레이어를 이용하고 있으나 상업적인 제품에는 최소 16층을 구현해 1Tb (128GB) 구성이 가능할 것으로 알려졌다.
한편 크로스바는 2010년 미국 캘리포니아에 5천만 달러 이상의 자본금, 미시간 대학 Lu Wei 교수 등이 참여해 설립되었으며 40-45명의 팀이 연구개발을 수행하고 있다.
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