삼성전자가 10nm 공정 진행 상황 및 차세대 8nm, 6nm 공정 도입 계획을 발표했다.
삼성전자 USA는 15일(현지시간) 보도자료를 통해 10nm FinFET 공정 기술의 생산량을 꾸준히 늘리면서 안정적인 높인 수율로 고객이 원하는 일정에 맞추고 있다고 밝혔다.
삼성전자는 2105년 업계 최초로 3D FinFET 구조를 기반으로 하는 모바일 애플리케이션 프로세서용 14nm FinFET LPE 기술을 선보인데 이어 작년 10월에는 1세대 10nm LPE(Low Power Early) 양산을 업계 최초로 시작해 10m LPE 실리콘 웨이퍼를 지금까지 7만장 이상 출하했다.
삼성전자 파운드리 사업 부문을 맡고 있는 윤종식 부사장은 삼성전자는 10nm LPE 파운드리 업계의 게임 체인저이며 10nm LPE 버전에 이어 2세대 및 3세대에 해당하는 10nm LPP와 10nm LPU 공정은 각각 올해 연말과 내녕에 대량생산에 들어가게 될 거라고 밝혔다. 또 업계에서 가장 경쟁력 있는 공정 기술을 계속 제공할 것이라고 덧붙였다.
또한 삼성전자는 현재 공정 로드맵에 8nm 공정 기술과 6nm 공정 기술을 추가한다고 발표했다. 8nm 및 6nm 기술은 기존 공정 과정과 비교해 뛰어난 확장성, 성능 및 전력 이점을 제공하며 삼성전자의 최신 10nm 및 7nm 기술의 모든 혁신을 계승하고 설계 인프라를 향상시켜 다양한 고객 요구사항을 충족시키고 더 높은 비용 경쟁력을 제공한다.
삼성전자 파운드리 기술 로드맵과 최신 8nm 및 6nm 기술 정보는 2017년 5월 24일 미국에서 개최될 예정인 삼성 파운드리 포럼에서 고객 및 파트너에게 공개될 예정이다.
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