삼성전자가 FinFET 기술 특허 침해로 4억 달러 배상 판결을 받은 것으로 나타났다.
블룸버그 통신에 따르면 미국 텍사스 동부지방법원 배심원단이 카이스트(KAIST) 지적재산권 자회사인 KAIST IP가 삼성전자를 상대로 제기한 FinFET 특허 침해 소송에서 4억 달러를 배상하라는 판결을 내린 것으로 알려졌다.
FinFET (Fin Field Effect Transistor) 공정은 기존 평면(2D) 구조의 한계를 극복하기 위해 도입된 입체(3D) 구조의 공정 기술로, 구조가 물고기 지느러미(Fin)와 비슷해 이와 같은 이름이 붙었으며 핀 모양의 3D 구조를 적용해 접점 면적을 키워 반도체 성능 향상 및 누설 전류를 줄였다. 삼성전자는 14nm부터 FinFET 공정 기술을 도입했으며 2016년에는 10nm FinFET 공정을 업계 최초로 양산했다.
그러나 KAIST IP는 FinFET 기술이 KAIST와 협력해 서울 대학교 이종호 교수가 개발했으며, 당시 KAIST IP가 삼성전자와 인텔(Intel) 모두에게 이 기술을 제안했지만 인텔이 기술 라이센스를 취득하고 로열티를 지불한 반면, 삼성전자는 KAIST IP 제안을 거절하고 FinFET과 동일한 자체 기술을 개발했다면서 특허를 비용 없이 사용했다고 주장했다.
삼성전자가 처음에는 FinFET 기술에 관심을 보이지 않았다가 인텔이 해당 라이센스를 취득해 칩 생산을 시작하자 이종호 교수를 불러 자사 기술진에게 프리젠테이션을 하게 한 뒤 기술을 복사해 개발 비용과 시간을 절약하고 라이센스를 침해했다는 내용이다.
이번 배상 판결이 확정될 경우 인텔이 FinFET 특허 로열티로 100억원을 지불한데 비해 삼성전자는 4,400억원을 지불해야 한다. 블룸버그는 판사가 삼성전자가 특허를 고의적으로 무단 사용했다고 판결할 경우 배상금 규모를 최대 3배까지 늘릴 수도 있다고 언급했다.
국내에서는 한겨레 신문이 지난 5월 말 삼성전자가 이번 특허 소송과 관련해 이종호 교수가 재직했던 경북대에 특허 소유권을 주장하도록 부추기고 재판 쟁점을 기술 유출로 옮기기 위해 정부 부처를 끌어들였다고 보도했으며, 삼성전자가 이에 대한 반박 내용을 발표하기도 했다.
한편, KAIST IP는 삼성전자 외에도 글로벌 파운드리나 퀄컴을 상대로도 FinFET 특허 소송을 제기한 상황이라 이번 판결이 확정될 경우 향후 다른 반도체 기업들의 FinFET 기술 사용에 영향을 미칠 것으로 보인다.
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