대만 파운드리 업체 TSMC가 6nm 공정 개발 완료를 발표하면서 반도체 미세 공정 경쟁이 본격화되고 있다.
삼성전자는 지난 16일 5nm EUV 파운드리 공정 개발을 발표하면서 올해 하반기부터 6nm 공정에 대해 제품 설계가 완료되어(Tape-Out) 올해 하반기부터 양산할 예정이라고 밝혔는데, 그러자 다음 날 TSMC 역시 보도자료를 내고 6nm 공정을 발표한 것이다.
TSMC는 업계 선도적인 7nm 기술을 기반으로 한 마이그레이션으로 시장 출시 시간 단축 및 이점을 제공한다고 밝혔는데, 이는 현재 리스크 생산 중인 7nm EUV 공정 기술(N7+ 또는 N7 Pro) 방식이 아닌 기존 1세대 N7 공정을 바탕으로 한 것으로 나타났다.
TSMC의 N6 공정은 N7 공정 대비 18% 높은 로직 밀도를 제공하는 동시에 설계 규칙은 TSMC의 검증된 N7 기술과 완벽하게 호환되므로 포괄적인 제품 설계 생태계를 재활용할 수 있어 고객이 제한적인 엔지니어링 리소스를 투입해 빠른 설계 주기로 마이그레이션이 가능하다.
그러나 TSMC의 N6 기술은 2020년 1분기에 리스크 생산을 시작하도록 계획되어 있어 올해 하반기부터 양산에 들어가는 삼성전자 6nm 공정보다 양산 시기는 뒤쳐질 것으로 보인다.
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