마이크론(Micron)이 1z 나노미터 공정 기술을 이용한 D램(DRAM) 양산을 시작했다고 발표했다.
3세대 10나노급으로 알려진 마이크론의 1z nm 공정 기반 16Gb DDR4 제품은 이전 세대 1Y nm 공정에 비해 높은 비트 밀도와 상당한 성능 향상 및 비용 절감을 제공한다. 또한 마이크론의 PC용 D램, 모바일 D램, 그래픽 D램에 대한 전력 및 성능의 최적화된 균형을 제공한다.
마이크론은 16Gb DDR4 메모리 솔루션을 대량 생산하면서 1z nm 공정으로 전환을 시작했으며, 이전 세대 8Gb DDR4 기반 제품에 비해 전력 소비량을 약 40% 절감하는 등 여러가지 이점을 제공한다고 설명했다. 1z nm DDR4 제품 포트폴리오는 현대 데이터 센터에서 성능 향상, 밀도 향상 및 전력 소비 감소에 대한 고객 니즈를 타겟으로 한다.
한편, 마이크론은 이와 별도로 UFS 기반 멀티칩 패키지(uMCP4)에서 업계 최대 용량인 16Gb LPDDR4X D램의 양산을 시작했다고 밝혔다. 마이크론 1z nm LPDDR4X 및 uMCP4는 매력적인 폼 팩터와 긴 배터리 수명을 가진 장치를 설계하기 위해 저전력 및 소형 패키지를 추구하는 모바일 기기 제조사들의 요구를 충족시킨다.
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