텔레다인르크로이(지사장 이운재)는 오늘 새로운 1GHz DL-ISO 고전압 Wide Band Gap 프로브 및 전력 반도체 소자 테스트 소프트웨어를 출시했다고 발표했다. 이 소프트웨어는 고해상도 오실로스코프(HDO)와 결합하여GaN 및 SiC 전력 반도체 디바이스의 가장 정확한 전기적 특성을 제공한다.
30년 이상 동안 엔지니어들은 실리콘(Si) 금속 산화물 반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET)와 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터(IGBT) 전력 반도체 장치를 사용하여 전력 공급과 전력 변환 시스템을 생산해 왔다. 그러나 소비자들은 더 작고 가벼운 전원 공급 장치와 시스템을 요구하고 있으며, 정부는 더 높은 효율성을 요구하고 있다.
GaN, SiC 등 WBG 소재는 반도체 소자에서 Si보다 10배 이상 빠르게 전환되며, 크기와 무게는 줄이면서도 효율은 높였다. 하지만 많은 엔지니어들이 WBG 반도체를 처음 구현하고 있으며 더 많은 측정 대역폭과 반도체 디바이스에 대한 보다 정확하고 상세한 분석이 필요하다.
새로운 텔레다인르크로이 DL-ISO 고전압 WGB 프로브는 설계 엔지니어에게 가장 신뢰도가 높은 GaN 및 SiC 전력 반도체 디바이스 측정을 제공한다. 이 새로운 프로브는 업계 최고의 12비트 해상도 HDO와 결합했을 때 1.5%에 달하는 최고의 신호 충실도, 가장 낮은 오버슈트 및 최고의 정확도를 자랑하며, 유일한 경쟁사보다 거의 두 배나 우수하다.
1GHz 대역폭은 GaN 장치 1ns 상승 시간을 측정하기 위한 요구 사항을 충족한다. 또한 HDO는 고속 GaN 및 SiC 장치 신호의 가장 충실한 신호 포착 및 관측 및 측정을 할 수 있도록 12비트 해상도로 최대 20 GS/s의 샘플링 속도를 제공한다. 최상의 신호 충실도, 낮은 오버슈트, 높은 정확도, 높은 대역폭 및 높은 샘플링 속도 조합은 새로운 설계에서 GaN 및 SiC 기술을 성공적으로 구현하기 위해 매우 중요하다.
텔레다인르크로이의 새로운 파워 디바이스 소프트웨어 패키지는 JEDEC 에서 기술하고 있는 오실로스코프를 이용한 스위칭 손실 측정방법을 자동화하여 GaN 및 SiC 디바이스 손실 측정을 간단하게 수행할 수 있으며, Turn-on, Turn-off 등의 측정 대상 영역을 하이라이트한 컬러 오버레이 기능으로 구분하여 표시한다.
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