반도체 경기 불황으로 인해 SK하이닉스 1분기 실적도 하락했다.
SK하이닉스는 26일 실적발표회를 열고 2023년 1분기에 매출 5조 881억 원, 영업손실 3조 4,023억 원(영업손실률 67%), 순손실 2조 5,855억 원(순손실률 51%)를 기록했다고 밝혔다.
1분기 매출은 전분기 대비 34%, 전년 동기 대비 58%가 하락했으며, 4분기에 비해 영업손실이 80% 가량 늘었지만 순손실 규모는 30% 가량 줄었다. 그러나 지난 해 같은 기간 2조 8,640억 원의 영업이익과 1조 9,870억 원의 순이익을 기록했을 때와 비교하면 매출 하락과 손실 증가가 우려되는 부분이다.
SK하이닉스는 작년 4분기와 비교해 D램(DRAM)과 낸드(NAND)의 비트그로스(B/G)와 평균 판매 가격(ASP)이 하락했으며, 올해 D램 수요는 한자릿수 중후반%, 낸드 수요도 10% 중후반에 머무르는 등 수요 감소와 매출 하락, 그리고 인한 영업 이익 감소 등이 단기간에 해결되기 어려울 것으로 전망했다.
특히 PC 부문은 작년에 이어 올해도 출하량 역성장을 예상했으며, 모바일 부문은 중국의 경기 회복 효과와 주요 고객 신제품 출시로 하반기 수요 개선을 기대했다. SV 부문은 IT 투자 위축 및 CSP 업체 재고 조정 영향으로 올해 수요는 다소 둔화될 것으로 예상하면서도 DDR5 중심 고객 수요 변화를 기대했다.
또한 2분기에는 적극적인 제품 mix 조정을 통해 고객 수요에 탄력적으로 대응하고 1분기 감소분을 초과하는 두 자릿수 비트그로스 증가를 목표로 세웠다.
다만 반도체 경기 회복이 가시화되지 않은 상태에서 올해 투자 규모는 전년 대비 50% 이상 축소하여 경쟁력 유지를 위한 필수 투자를 제외하고 전 영역 투자를 최소화하고 있으며, DDR5/LPDDR5와 HBM3 등 수요 성장을 주도할 제품 생산을 위한 투자는 지속하여 하반기와 내년 시장에 대비할 거라고 설명했다.
또한 올해 안헤 D램에서 1bnm, 낸드에서 238단 양산 준비를 완료하여 기술경쟁력을 유지하겠다고 밝혔다. 1bnm 공정은 기존 1anm 대비 Net die 효율성이 크게 개선되며, EUV 공정 적용을 확대하여 공정 효율성을 극대화할 계획이다.
1anm 기반 DDR5 메모리도 128GB 이상 고용량 모델 공급이 가능하며, HBM 시장에서도 세계 최초 12단 적층 24GB HBM3 개발을 완료하면서 올해 HBM 매출이 전년 대비 50% 이상 성장할 것으로 예상했다.
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