NXP 반도체가 상단 냉각(top-side cooled) RF 증폭기 모듈 제품군을 발표했다. 해당 제품군은 더 얇고 가벼운 5G 인프라용 라디오를 구현하기 위해 설계된 패키징 혁신을 기반으로 한다. 이와 같은 소형 기지국은 설치가 쉽고 경제적이며 보다 자연스럽게 주변 환경과 어우러질 수 있다.
NXP의 GaN 멀티칩 모듈 시리즈는 업계 최초의 RF 전력용 상단 냉각 솔루션과 결합돼 라디오의 두께 및 무게를 20% 이상 줄일 수 있다. 5G 기지국의 제조 및 배포에 필요한 탄소 발자국도 감축한다.
NXP의 새로운 상단 냉각 장치는 설계 및 제조 측면에서 탁월한 이점을 제공한다. 전용 RF 실드를 제거하고, 경제적이고 간소화된 인쇄 회로 기판을 사용하며, 열관리를 RF 설계에서 분리할 수 있다. 네트워킹 솔루션 제공업체는 이러한 기능을 사용해 모바일 네트워크 사업자를 위한 더 얇고 가벼운 5G 라디오를 제작하고, 전체 설계 주기를 단축할 수 있다.
NXP의 첫 번째 상단 냉각 RF 전력 모듈 시리즈는 3.3GHz부터 3.8GHz까지 지원하는 200W 출력의 32T32R 라디오용으로 설계됐다. 해당 장치는 자체 LDMOS 및 GaN 반도체 기술을 결합해 광대역 성능으로 높은 이득과 효율을 구현한다. 사용자는 400MHz 순시 대역폭으로 31dB의 이득과 46%의 효율을 누릴 수 있다.
현재 A5M34TG140-TC, A5M35TG140-TC, A5M36TG140-TC 제품이 출시돼 있으며, A5M36TG140-TC는 NXP의 래피드RF(RapidRF) 레퍼런스 보드 시리즈에서 지원된다. 자세한 내용은 NXP.com/TSCEVBFS에서 팩트 시트를 참조하거나 전 세계 NXP 판매점에 문의해 확인할 수 있다.
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