플래시 메모리 솔루션 부문 선두 기업인 스팬션은 휴대폰 등 각종 무선기기에 최적화된 미러비트 기술 기반의 512Mb 노어형 플래시 메모리 신제품을 출시했다고 발표했다.
금번 신제품은 휴대폰 등 무선기기에 최적화된 NOR형 제품 중 처음으로 90nm 공정이 적용된 고성능 제품으로, 휴대폰 상에서 최신 멀티미디어 기능을 지원할 수 있도록 최대 133Mhz의 동작 속도를 구현해 휴대폰 제조업체들의 차세대 휴대폰을 설계를 용이하게 한다.
이로써 스팬션은 오늘 동시에 발표된 1Gb 오어낸드 플래시 메모리 신제품과 90nm 512Mb NOR 신제품을 결합한 MCP 제품을 통해 무선기기 시장에서 요구되는 코드 실행 및 데이터 저장 기능을 완벽하게 만족시킬 수 있는 확장성 높은 메모리 솔루션을 제공할 수 있게 되었다.
또한 스팬션의 미러비트 기반 NOR 및 오어낸드 플래시 메모리 솔루션을 통해 휴대폰 제조업체들은 단순한 기능의 저가형 휴대폰에서부터 모든 최신 기능이 적용된 최고 사양의 휴대폰에 이르기까지 동일한 플랫폼을 통해 제작할 수 있게 되었으며, 단말기의 사양에 따라 NOR형 플래시 만을 적용하거나 NOR 및 오어낸드를 결합한 플래시 솔루션을 최적화하여 적용시킬 수 있게 되었다.
스팬션의 90nm 미러비트 NOR형 플래시 메모리 제품은 WS 제품군의 일원으로, 1.8V의 전압 하에서 133MHz의 속도로 동작한다. 또한 오어낸드 신제품과의 결합을 통해 최소 64Mb에서 최대 3Gb에 이르기까지 다양한 용량을 제공한다.
스팬션은 최근 휴대폰 제조업체들의 보다 다양한 기능을 지원하고, 모바일 데이터 서비스를 위한 높은 데이터 저장 용량을 갖추고 있으면서도, 보다 작고 슬림한 사이즈의 고성능 휴대폰을 디자인할 수 있는 플래시 메모리 솔루션에 대한 요구가 커지고 있어 스팬션의 최신 플래시 메모리 솔루션이 무선 시장에서 큰 호응을 얻을 수 있을 것으로 기대하고 있다.
한편, 스팬션은 휴대폰 등 무선기기에 최적화된 다양한 110nm 미러비트 플래시 메모리 제품들을 2005년 초부터 출시, 전세계 10대 단말기 제조업체 모두에 제공하고 있다.
스팬션은 이들 단말기 제조업체들이 110nm에서 90nm로의 마이그레이션을 용이하게 진행할 수 있도록 하드웨어 및 소프트웨어 지원을 강화해 비용 절감 효과를 얻을 수 있도록 할 계획이다.
스팬션의 90nm 512Mb 미러비트 신제품은 고용량, 작은 다이 사이즈, 용량 증가를 위한 다중 스택이 용이함 등의 특징을 갖추고 있어 현재 사용되고 있는 휴대폰의 90%1)가 채택하고 있는 단일 노어형 플래시 메모리 아키텍처에서도 뛰어난 성능을 발휘할 수 있다. 또한, 기존 110nm 80Mhz 미러비트 노어형 플래시 제품에서 90nm 133MHz 신제품으로 마이그레이션시 기존 디자인의 단말기 성능을 최대 66%까지 향상시킬 수 있다.
스팬션의 무선 솔루션 부문 수석 부사장인 아미르 마쉬쿠리는 “스팬션이 무선 시장에 최적화된 고성능의 NOR형 제품을 출시으로써 단말기 제조업체들은 보다 향상된 휴대폰을 설계할 수 있게 되었다”라며 “특히 미러비트 NOR형 제품과 오어낸드가 결합된 스팬션의 플래시 메모리 솔루션은 더욱 뛰어난 확장성과 비용효율성 및 최상의 성능을 동시에 갖춘 모바일 플랫폼을 설계할 수 있도록 해준다”라고 밝혔다.
출시 시기
90nm 미러비트 512Mb 신제품의 샘플은 이미 배포되었으며, 제품 출시는 2006년 중반에 이루어질 예정이다. 또한 1Gb 미러비트 오어낸드 및 90nm 512Mb NOR형 제품을 결합한 MCP 제품 역시 올해 중반 출시된 예정이며, 다양한 형태의 샘플은 1분기 중 배포될 계획이다.
