인텔이 업계 최초 65나노미터 1기가비트 모놀리식(monolithic) 휴대폰 부품을 포함하는 65나노 노어(NOR) 플래시 멀티 레벨 셀(MLC: Multi-Level Cell) 제품군을 업계 최초로 대량 생산한다고 발표했다.
삼성동 코엑스에서 열린 2006 IDF서울을 통해 공식 발표된 이번 신제품들은 인텔 스트라타플래시® 셀룰러 메모리(M18) 아키텍처를 기반으로 하며, 인텔의 대용량 90나노 기반 플래시 칩과 드롭인(drop-in) 호환성을 가지기 때문에, 휴대폰 제조업체들의 작업 공정 전환 작업을 보다 용이하게 한다고 인텔은 밝혔다.
인텔의 최신 65나노 노어 MLC 부품은 최대 133MHz의 빠른 읽기 능력과 최대 초당 1.0MB로 향상된 쓰기 속도로 인한 응답 시간 단축, 4백만 화소 카메라 및 MPEG-4 비디오에 적합한 저장 능력을 구현한다. 65나노 버전에서의 읽기 속도는 이전 세대보다 두 배 가량 빨라졌다. 뿐만 아니라 전력 소모량 감소, 1.8볼트 운영 및 전력 강하 모드를 통해 배터리 수명 또한 연장되었다.
이번 새로운 제품군의 개발은 인텔과 ST 마이크로일레트로닉스 (STMicroelectronics)의 휴대폰 메모리 아키텍처 부문에서의 지속적인 협력을 바탕으로 이루어졌다. 양사의 협력은 휴대폰 제조사들에게 표준 메모리 인터페이스 및 구성에 기반한 공통 아키텍처를 활용하도록 하여 다양한 공급 업체로부터 고속, 고 집적도, 저전력 칩을 안정적으로 제공 받을 수 있게 하며, 이를 기반으로 고객들은 시장의 요구에 보다 신속하게 대처할 수 있을 뿐만 아니라 비용 절감 및 개발 시간 단축을 실행할 수 있다.
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