삼성은 ISSCC (International Solid-Stage Circuits Conference)에서 기존보다 40% 높은 속도로 동작하는 새로운 GDDR4 메모리를 개발 중이며, 이를 소개했다는 기사가 xbitlabs에 올라왔다.
이 새로운 512Mb GDDR4 메모리 칩은 80nm 공정을 사용하였다고 하며, 동작 전압은 1.4V - 2.1V 사이를 가진다고 한다. 2.0V에서 4Gb/s (4 gigibit per second, 4GHz)의 데이터 전송률을 가진다고 하며, 현재의 GDDR4 칩은 공식적으로 1.9V로 동작하는 것과 비교하면 더 높은 전압이 필요하다고 한다.
또, 이 GDDR4 메모리는 4.0GHz로 대역폭을 16GB/s를 얻을 수 있고 이 칩셋을 256bit 메모리 인터페이스를 가진 그래픽 카드에 사용할 경우 128GB/s의 대역폭을 얻을 수 있는데 이는 현재 X1950XTX에 사용되는 GDDR4의 2배에 이르는 대역폭을 얻을 수 있게 된다고 한다.
이 새로운 메모리가 등장할 시기는 아직 정해지지 않고 있다고 한다. 그렇지만, 현재 사용되는 2.40GHz도 2006년 7월 초에 내놓았고 3.20GHz로 동작하는 샘플은 이보다 이른 2월 초였다. 이런 상황을 고려하면 현재 사용되는 그래픽 카드 등의 제약에 의해 사용되지는 않는 것을 감안하면 이를 제대로 사용할 수 있을 때까지는 등장하지 않을 것이라고 한다.
현재 2007년과 2008년에 GDDR4는 약 2.8GHz를, 2009년에 나올 것으로 예상된 GDDR5는 3.5GHz로 4GHz의 속도에 도달할 것으로 예상되고 있다.
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