다우코닝은 이중층 포토레지스트 생산에 필요한 실리콘 폴리머 레진의 생산량을 두 배 이상 늘린다고 발표했다.
2006년 12월에 다우코닝과 TOK는 다우코닝의 실리콘 폴리머 레진을 이미징 레이어에 사용한 이중층 포토레지스트를 공동 개발하는데 성공, 193nm 리소그래피 공정을 이용하는 칩 제조사들에게 더욱 향상된 식각 선택비(etch selectivity)를 제공할 수 있게 됐다고 밝히며, 그 이후 2007년 12월에 세계적인 메모리 칩 제조업체가 이중층 포토레지스트를 사용해 생산에 돌입했다고 발표한 바 있다.
빛 감지에 뛰어난 포토레지스트는 빛에 노출된 후 용해 여부가 결정되기 때문에 뒤따른 식각 공정 과정에서 일부분을 선택하여 제거할 수 있다. 칩 제조사들은 다우코닝의 실리콘 레진을 포토센서티브 소재와 결합시켜 더 얇은 포토레지스트 층을 사용할 수 있다. 이는 패턴 해상도를 향상시켜 더욱 작은 회로 패턴 생산을 가능케 한 것.
다우코닝은 2004년 이 시장에 진입한 이래 193nm 포토레지스트 및 무반사 코팅 용의 실리콘 레진 개발을 위해 리소그래피 소재 업체들과 협력하고 있다고 밝혔다.
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