국내 반도체와 디스플레이 산업에서 대기업 간의 공동 R&D가 본격화될 전망이다.
지식경제부에 따르면 메모리 반도체 분야에서 세계 1, 2위를 차지하고 있는 삼성전자와 하이닉스가 차세대 메모리 분야 원천특허 확보를 통한 지속적인 메모리 강국의 위상을 유지하기 위해 차세대 메모리 STT-MRAM의 공동 R&D를 추진할 예정이다.
STT-MRAM은 스핀주입 자회반전 방식 메모리로 비휘발성임에도 SRAM급의 초고속 동작이 가능하며, 지난 6월 국내에서는 삼성전자와 하이닉스, 중소기업, 연구소, 대학 등이 컨소시엄을 이뤄 2012년 시장 형성을 목표로 향후 4년간 공동 개발하기로 합의했다.
현재 STT-MRAM 공동 R&D는 삼성-하이닉스 연구소장과의 협의를 통해 한양대에 연구라인을 설치하고 각 사의 연구원을 파견하여 공동연구하기로 합의했으며, 내년 1월 초부터 본격적인 R&D를 개시할 예정이다.
지식경제부는 STT-MRAM 공동 R&D가 국내 R&D 사상 최초로 국내기업의 연구원이 모여 공동연구하는 사례이며, 이번 공동 R&D에 따른 소요 자금은 총 240억원(정부 120억원, 민간 120억원)이 들어갈 것이라고 설명했다.
한편, 반도체 메모리 분야 외에도 삼성전자와 LG디스플레이도 산업 경쟁력 강화를 위해 감광용 마스크를 사용하지 않고 10세대 이상 대형화에 사용 가능한 디지털 노광기 공동 개발에 착수할 예정이다.
그 동안 TFT-LCD 생산에 필요한 핵심공정 장비인 디지털 노광기는 일본의 니콘과 캐논에서 독점해왔으나 국내 디스플레이 업계에서 기존 기술의 특허문제 등을 회피하고 고가의 핵심 노광장비 기술을 확보하기 위해 지난 5월 디스플레이 비전 선포식에서 공동개발을 합의한 바 있다.
디지털 노광기 공동 개발도 R&D 컨소시엄 기관을 최종 선정에 올해부터 2013년까지 총 5년에 걸쳐 진행된 예정이며 소요 자금은 총 500억원에 이를 것으로 알려지고 있다.
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