하이닉스반도체(이하 하이닉스)에서 54나노 기술을 적용한 세계 최고 성능의 1Gb(기가비트) 모바일 LPDDR2 제품을 개발했다고 밝혔다.
이번에 개발된 1Gb 모바일 LPDDR2(Low Power DDR2) 제품은 평균 1.2V의 저전압으로 동작하며 최대 1.14V까지 전압을 낮출 수 있어 1.8V로 동작하는 기존의 모바일 D램(DDR) 대비 50%, PC용 DDR2 메모리에 비해 30% 수준의 전력으로 동작시킬 수 있다.
또한 1066Mbps의 데이터 전송 속도를 구현했으며, 32개의 I/O를 통해 싱글 채널의 경우 최대 4.26GB/s, 듀얼 채널에서는 8.52GB/s의 대역폭을 제공한다.
하이닉스는 이 제품이 국제반도체표준협의기구(JEDEC)의 규격을 만족하고 있으며 대기 전력 소모를 단축하면서도 빠른 속도를 구현해 모바일 인터넷 디바이스(MID), 넷북, 고성능 스마트폰 등의 모바일 애플리케이션에 적합하다고 설명했다. 또한 하나의 칩에서 다양한 데이터 처리 속도 및 방식 지원이 가능한 '원 칩 솔루션' 기능도 제공되어 탑재되는 기기의 사양에 적합하게 변경해 사용할 수도 있다고 덧붙였다.
하이닉스 1Gb 모바일 LPDDR2 제품은 올 3분기부터 양산될 예정이며, 하이닉스는 이번 54나노급 제품에 이어 내년 초에 40나노급 LPDDR2 제품을 개발해 2010년 모바일 LPDDR2 시장 점유율을 30% 이상 확대할 것이라고 언급했다.
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