하이닉스반도체(이하 하이닉스)에서 세계 최초로 54나노 2기가비트(Gb) 기반으로 개발된 4Gb 모바일 D램의 인텔 인증을 획득했다고 밝혔다.
4Gb 모바일 D램은 모바일 제품 중 최대 용량으로 기존 2Gb 제품의 패키지 크기를 유지하면서도 용량을 두 배로 늘린 것이 특징이다. 이 제품은 인텔 모바일 인터넷 디바이스(MID)용 칩셋 무어스타운에 대한 인증을 획득했으며, 하이닉스 측은 자사의 모바일 제품이 인텔의 인증을 획득한 것은 이번이 처음이라고 설명했다.
전력 소비도 기존 2Gb 제품과 비교해 큰 차이가 없는 4Gb 모바일 D램은 최대 400Mbps의 데이터 전송 속도를 구현하며, 32개의 I/O를 통해 초당 1.6GB의 데이터를 처리할 수도 있다. 제품 양산은 올해 3분기부터 시작될 예정이다.
하이닉스 측은 '모바일 제품의 비중이 지난 2분기를 기준으로 전체 D램 매출 비중에서 지난 해보다 2배 가량 높아진 15%를 차지하는 등 사업의 중요성이 더욱 커지고 있다'고 밝히고, 모바일 D램 시장 점유율도 올해 목표인 24%까지 확대될 것으로 기대했다.
또한 수익성 제고를 위해 모바일을 포함한 그래픽스, 서버 등 고부가가치 제품의 매출 비중을 지속적으로 늘리고 사업을 강화해 나갈 예정이라고 덧붙였다.
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