삼성전자가 세계 최초로 0.6mm 두께의 8단 적층칩 기술을 개발했다고 밝혔다.
기존 낸드플래시 적층 패키지는 칩의 웨이퍼를 60㎛ 두께로 가공해 쌓아 올려 1mm를 구현했으나, 삼성전자에서는 이번에 개발한 적층칩은 750㎛ 두께인 12인치 웨이퍼 뒷면을 15㎛ 두께로 갈아 내고, 위로 쌓아 올려 고용량의 패키지로 구현한 것이다.
삼성전자는 이번에 개발된 8단 적층칩 기술이 지금까지 칩의 웨이퍼 두께를 30㎛ 이하로 가공하면 칩의 강도를 유지하기 어렵고, 칩의 적층 간격이 너무 좁아 안정적인 수율을 확보하기 어려운 한계를 극복한 것이라고 설명했다.
삼성전자는 이 기술을 32GB 낸드플래시 적층칩에 적용했으며, 이번 기술 개발로 현재 50% 이상의 세계 시장점유율을 확보하고 있는 모바일 메모리 복합칩 제품 경쟁력을 더욱 강화해 나갈 수 있게 되었다고 밝혔다.
한편, 반도체 시장 조사기관 아이서플라이에 따르면 세계 메모리 카드 시장은 2GB 용량 이상의 제품 수량이 2009년 3.1억 개에서 2012년 7.7억 개 규모로 크게 성장할 것으로 예상된다. 그 중 16GB 이상 용량의 제품은 2009년 1900만 개에서 2012년 2.1억 개로 확대될 것으로 전망된다.
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