삼성전자가 업계 최초로 읽기 속도를 3배 이상 향상시킨 32Gb(기가비트) 고속 낸드플래시와 저장용량을 3배 늘린 32Gb 3비트(bit) 낸드플래시를 지난달 말 양산에 들어갔다고 밝혔다.
고속 낸드플래시는 D램의 고속 데이터 전송 방식인 DDR(Double Data Rate) 인터페이스를 낸드플래시에 적용한 비동기(Asynchronous) DDR MLC(Multi-Level Cell) 낸드플래시 제품이다.
삼성전자는 저전력 비동기 DDR 인터페이스 기술을 적용해 소비 전력량을 증가시키지 않으면서도 기존 SDR(Single Data Rate) 제품 대비 읽기 속도를 약 3배 이상 빠르게 구현했으며, 이 제품을 프리미엄급 메모리카드 뿐 아니라 고성능 SSD 제품에도 적용해 나갈 계획이라고 설명했다.
또한 3비트 낸드플래시는 하나의 셀(Cell)에 3비트 단위의 데이터를 저장할 수 있도록 해 같은 칩 면적에서 1비트(bit) 데이터를 저장하는 SLC(Single-Level Cell)에 비해 약 3배의 대용량 데이터를 저장할 수 있도록 한 것이다.
삼성전자는 3비트 낸드플래시 전용 컨트롤러를 탑재해 안정적인 카드 성능을 확보했으며, 삼성전자는 3비트 낸드플래시 제품으로 대용량 메모리카드, 휴대폰용 메모리카드 시장에서 기존 MLC 낸드플래시 제품을 대체해 나갈 예정이라고 밝혔다.
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