미국 마이크론과 대만 난야 테크놀러지는 지난 8일 42nm 공정을 적용한 2Gbit DDR3 메모리를 공동 개발했다는 소식이 mycom에 올라왔다.
마이크론과 난야가 적용한 기술은 구리 배선 기반으로 만들어지는 42nm 공정이며, 2Gbit DDR3 메모리는 이전 세대보다 낮은 1.5V의 전압 적용 및 1.35V를 표준 전압으로 적용해 30% 가량 소비전력을 절약할 수 있을 것으로 예상되고 있다. 최대 전송속도는 1866Mbps로 알려지고 있고 이를 이용해 모듈 당 최대 16GB의 용량을 만들 수 있다고 전했다.
마이크론과 난야가 개발한 기술은 2010년 2분기 샘플 출하가 시작될 것으로 알려지고 있으며, 양산은 2010년 하반기 시작할 것으로 예상되고 있다. 또한, 양사는 이번 기술을 바탕으로 차세대 30nm 공정 기술 개발에도 박차를 가하고 있다고 전했다.
삼성전자의 세계 최초 30nm DDR3 DRAM, 엘피다의 40nm 2Gbit DDR3 SDRAM, 하이닉스 40nm 2Gb DDR3 개발 등 메모리 칩 분야의 미세공정 적용이 빠르게 진행되면서 고성능 메모리에 대한 대응이 가능할 것으로 보여지고 있으며, 미세공정의 경쟁도 더욱 치열해질 것으로 예상되고 있다.
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