삼성전자에서 세계 최초로 20나노급 공정의 32Gb(기가비트) MLC 낸드플래시 양산을 시작했다고 밝혔다.
삼성전자는 19일 보도자료를 통해 20나노급 공정으로 32Gb MLC 방식의 낸드플래시를 이 달부터 양산하기 시작했으며 전용 컨트롤러도 함께 개발해 최적의 성능을 구현했다고 밝혔다.
이번에 양산에 들어간 20나노급 MLC 낸드플래시는 기존에 양산되던 30나노급 MLC 낸드플래시에 비해 생산성이 약 50% 증가했으며, 전용 컨트롤러 개발로 성능 향상 및 30나노급 제품과 동등 수준의 신뢰도를 확보한 것으로 알려졌다. 특히 20나노급 MLC 낸드플래시 전용 컨트롤러가 탑재되는 8GB 이상의 삼성전자 SD 카드는 쓰기 속도 10MB/s 이상을 구현해 'Class 10' 규격을 만족하는 것으로 나타났다.
삼성전자는 20나노급 MLC 낸드플래시를 사용한 SD 메모리 카드 제품을 먼저 출시해 4GB(기가바이트)부터 64GB 용량의 제품까지 라인업을 구축할 예정이며, moviNAND 제품까지도 새로운 20나노급 MLC 낸드플래시를 순차적으로 적용해 기존 30나노급 낸드플래시 시장을 적극적으로 전환해 나갈 계획이라고 언급했다.
삼성전자 반도체사업부 메모리담당 조수인 사장은 "생산성과 성능을 동시에 높인 20나노급 MLC 낸드플래시를 양산하게 되어 고성능, 대용량 메모리를 안정적으로 공급해 달라는 고객들의 요구에 적극적으로 대응할 수 있게 됐다"고 말했다.
조 사장은 특히, "올해에 20나노급 낸드플래시로 스마트폰용 대용량·고성능 프리미엄 내장 스토리지 시장은 물론 고성능 메모리 카드 시장을 선점해, 플래시 메모리 사업 경쟁력을 더욱 강화해 나갈 계획"이라고 밝혔다.
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