인텔은 FBC (Floating Body Cell Technology)를 통해 CPU 캐쉬로 사용되는 SRAM을 대체하고 더 높은 캐쉬 용량을 제공하게 될 것이라는 소식이 xbitlabs에 올라왔다.
인텔은 전통적으로 마이크로프로세서 내부의 캐쉬를 주목할 만하게 늘려왔고 이를 가능하게 해주었던 것은 다이 사이즈를 적절히 늘려와 경쟁자보다 더 많은 SRAM 메모리를 내장할 수 있었던 것에 있다.
2010년 열린 VLSI Technology와 Circuits 심포지아에서 인텔은 새로운 FBC 기술을 바탕으로 기존보다 더 많은 캐쉬 용량을 늘릴 것이라고 언급했다.
오늘날의 CPU (Central Processing Units)는 온칩 캐쉬 메모리를 대용량으로 포함하고 있고 코드와 데이터 액세스 속도도 증가했다. 이를 바탕으로 소비전력을 줄이고 전체 성능을 향상시키는데 일조했다.
인텔의 엔지니어들은 이 캐쉬 메모리의 용량을 오늘날보다 더 늘릴 것이고 성능 향상을 위해 용량 증가와 낮은 제작 비용을 위해 사이즈를 줄일 것으로 보고 있다.
인텔은 이번주 열린 2010 VLSI Technology와 Circuits 심포지아에서 2번의 프리젠테이션을 진행했고 여기에서 인텔은 FBC 개발에 대해 소개했다고 전했다. FBC (Floating Body Cell)은 오늘날 사용되는 6-transistor SRAM Cell을 대체할 한 가지 방법으로 주목받고 있다.
한 신문은 22nm FBC 메모리는 하나의 벌크 웨이퍼에서 대량 생산이 가능할 것으로 보았다.그러나, 초기 결과는 SOI (silicon on insulator) 웨이퍼보다 비싸다고 전했다. 다른 신문은 FBC 백 게이트 내부에 선택된 도핑 (doping, 반도체에 불순물 첨가하여 전기적 특성을 얻는 것)은 장치의 다른 부분의 오염없이 생산이 가능할 것이라고 전했다. 이를 통해 주어진 사이즈에 꽤 변화가 있을 것이라고 전했다.
현재 CPU들은 과거보다 캐쉬의 양이나 속도가 높아져 성능 향상을 가능하게 해주었는데 여기에서 언급된 FBC는 기존 SRAM 사용 방법보다 발전될 것으로 보여지는 만큼 앞으로 더 많은 캐쉬 용량과 CPU의 성능 향상을 기대할 수 있을 것으로 예상된다.
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