DRAM 시장은 올해 3분기 과잉공급 상태로 들어갈 것이라고 삼성전자 관계자는 9월 7일 대만에서 열린 미디어 컨퍼런스를 통해 밝혔으며, 공급 과잉은 PC 판매의 약세로 인한 것으로 알려지고 있다.
digitimes는 세계의 전체 DRAM 생산량은 3분기 특히 증가할 것으로 예상되는데 이는 기존보다 진보된 공정을 적용할 것으로 알려진 공급자들이 생산량을 늘리기 때문으로 보고 있다고 삼성전자 관계자의 말을 인용해 언급했다. 그러나, 삼성전자는 PC 판매가 하락추세이기 때문에 DRAM은 2011년 1분기까지는 과잉공급 상태가 유지될 것으로 예상했다.
반대로 낸드플래시 시장은 긍정적으로 보고 있으며, 2010년 하반기에는 안정적인 가격과 트렌드를 유지할 것으로 예상한다고 전했다. 이러한 원인으로 PC 제품과 관련있는 DRAM과 달리 낸드플래시 메모리는 스마트폰과 테블릿 PC 등의 모바일 장치들에 지속적인 수요가 있고 새로운 어플리케이션들에의 적용도 크게 늘어나고 있기 때문이라고 밝혔다.
또한, PC 시장의 하락세와 비교하여 소비자 가전 시장은 보다 긍정적으로 보고 있다고 전했다.
삼성은 2010년 말 35nm 공정 기술을 이용한 DRAM 대량 생산을 진행할 것으로 예상되며, 낸드플래시는 2011년 20nm 급 공정기술로 이전될 것으로 예상된다고 언급했다.
삼성전자는 2010년 메모리와 로직 비즈니스에 전체 CAPEX(Capital expenditures, 미래의 이윤을 창출하기 위해 지출된 비용, 주로 기업의 장비와 토지 등의 투자)로 백억달러 (US$10billion)를 투자했으며, 메모리 칩 생산량 증대를 위한 계획도 세우고 있다고 전했다.
삼성은 DRAM과 낸드플래시 메모리, 차세대 메모리 제품 생산을 위한 Line 16을 2011년 건설할 계획을 갖고 있으며, 새로운 라인에서 매달 12인치 웨이퍼 20만 장을 생산할 수 있을 것으로 내다보고 있다. 또한, 현재 가동되는 Line 15에서는 DRAM 제품 생산에 집중해 생산량을 확대할 것으로 예상되고 있다.
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