삼성전자가 대용량 스토리지용 20나노급 64Gb(기가비트) 3bit(비트) 낸드플래시를 이 달부터 양산하기 시작했다.
이에 따라 삼성전자는 지난 해 11월 세계 최초로 30나노급 32Gb 3bit 낸드플래시를 양산한 데 이어, 이번에 용량이 두 배로 커진 20나노급 64Gb 3bit 낸드플래시를 세계 최초로 양산하게 됐다.
20나노급 64Gb 3bit 낸드플래시는 30나노급 32Gb 3bit 제품에 비해 생산성이 60% 이상 높고, 'Toggle DDR 1.0' 방식을 적용해 빠르고 안정적인 성능을 구현한 것으로 알려졌다.
삼성전자는 이 제품이 하나의 칩으로 8GB(기가바이트)의 데이터를 저장할 수 있는 메모리 용량을 구현할 수 있어, 기존 32Gb 3bit 낸드플래시 시장을 빠르게 대체하며 대용량 메모리 시장 확대에 기여할 것으로 예상된다고 밝혔다.
삼성전자 반도체사업부 메모리 전략마케팅팀 김세진 상무는 "삼성전자는 지난해 11월 30나노급 공정으로 32Gb 3bit 낸드플래시 제품을 세계 최초로 양산했고, 낸드플래시에 Toggle DDR 방식을 적용하는 등 고성능·대용량 낸드플래시 시장을 확대하기 위해 노력해 왔다"며, "20나노급 64Gb 3bit 낸드플래시 양산으로 대용량 메모리 수요가 급증하고 있는 스마트폰, 태블릿PC, SSD에 이어, USB 플래시 드라이브, SD카드와 같은 대용량 메모리 제품 시장을 확대해 나갈 수 있는 솔루션이 강화됐다"고 말했다.
삼성전자는 향후 낸드플래시 제품에 Toggle DDR을 적용해 대용량·고성능 메모리를 원하는 고객의 다양한 요구에 부응하고, 시장 성장을 주도해 나갈 계획이라고 언급했다.
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