샌디스크(SanDisk)에서 19nm(나노미터) 공정 노드 제조 기술이 적용된 낸드(NAND) 플래시 메모리 칩을 발표했다.
19nm 공정 기술을 바탕으로 만든 64Gb X2(이중셀, 2-bits-per-cell) 기반의 모놀리식 칩은 휴대폰, 태블릿 컴퓨터 및 기타 장치에 사용되는 임베디드 및 외장형 스토리지 장치의 용량을 높이면서 작은 폼팩터 상에서 구현할 수 있도록 해준다.
샌디스크 측은 19nm 메모리 다이는 첨단 공정 혁신 및 셀 설계 솔루션을 포함해 현재까지 가장 발전된 플래시 메모리 기술 노드를 사용하며, 독자적인 프로그래밍 알고리즘과 멀티 레벨 데이터 스토리지 관리 체계를 포함한 샌디스크의 ABL(All-Bit-Line) 아키텍처는 성능이나 안정성의 저하가 없는 MLC(multi-level cell) 낸드 플래시 메모리 칩을 생산하는데 도움을 준다고 설명했다.
19nm 공정의 64Gb X2 제품은 이번 분기부터 샘플 생산을 시작해 올해 하반기부터 대량 생산에 들어갈 예정이다. 또한 샌디스크느는 19nm 공정 기술이 들어간 X3(3중셀) 제품도 라인업에 추가할 것이라고 덧붙였다.
|
[취재] 크리에이터를 위한 스토리지 솔루션, 샌디스크 크리에이터 시리즈 출시 간담회 
