마이크론 테크놀로지(Micron Technology, 이하 마이크론)에서 3세대 RLDRAM 메모리의 샘플을 발표했다.
RLDRAM 3 메모리는 네트워크를 통한 정보 전송 효율을 향상시키는 고대역폭 메모리 기술로, 연속 읽기/쓰기 작업 또는 완전한 랜덤 액세스가 필요한 첨단 라우터와 스위치 등 고성능 네트워킹 애플리케이션용으로 고안되었다. 또한 속도, 밀도, 지연시간 및 전력 소모를 개선시켰다.
RLDRAM 3 메모리는 최대 2133Mb/s의 데이터 속도와 10ns 미만의 업계 최저 랜덤 액세스 지연시간을 제공한다. 또한 1.2V IO 및 1.35V 코어 전압 레벨로 에너지 효율이 높다.
마이크론 DRAM 솔루션 그룹의 네트워킹 및 저장 사업 개발 이사인 Bruce Franklin은 "우리 마이크론 직원들은 현재 고객들이 네트워크 기술을 최적화하여 데이터 크기의 증가와 이에 관련되어 급격히 변화하는 인프라스트럭처의 복잡성을 지원하기 위해 겪는 압박감을 이해합니다"며, "RLDRAM 3 메모리는 고객의 진화하는 메모리 요구에 넉넉한 여유를 제공하는 저지연시간, 고대역폭 솔루션입니다"라고 설명했다.
마이크론 RLDRAM 3 메모리 생산은 2011년 하반기 중에 시작될 예정이다.
한편, 마이크론은 네트워킹 고객들에게 상업적 물량의 안정적인 공급을 보장하기 위해 자사 RLDRAM 3 메모리의 2차 공급자로 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)을 선정했다고 덧붙였다.
|
[영상] DDR5·HBM 메모리 폭등의 유일한 해결법 반도체 증설 현황 총정리, 삼성전자·SK하이닉스·마이크론 [메모리 가격 폭등 7부 
