IBM이 기존의 상변화 메모리 (Phase-Change Memory, PCM)의 문제점을 개선할 수 있는 차세대 멀티비트 (Multi-bit) 상변화 메모리를 개발했다는 소식이다.
상변화 메모리는 최근까지는 셀당 싱글비트 (Single-bit)로 기록이 가능해 용량은 부족하고 제조비용은 높은 단점이 있었다. 그러나, IBM이 최근 개발한 멀티비트 상변화 메모리 기술은 셀당 멀티비트 (Multi-bit, Multi-Level) 기록이 가능해 보다 저렴한 제조비용과 고용량의 상변화 메모리 칩 개발이 가능할 것이라고 tcmagazine은 전했다.
90nm CMOS 공정으로 만들어진 멀티비트 상변화 메모리 (PCM)
현재의 낸드 (NAND) 플래시 메모리는 25nm MLC 낸드플래시 메모리가 약 3,000번의 쓰기 수명을 지원하나 IBM이 개발한 멀티비트 상변화 메모리는 기존 낸드플래시보다 높은 읽기와 쓰기속도를 제공하며, 1천만번의 쓰기 수명을 제공한다. 이는 기존 낸드플래시 기반 SSD 장치들의 수명에도 직결되는 부분으로 현재의 SSD들은 플래시메모리 컨트롤러를 통해 데이터를 새로운 플래시메모리에 옮겨 우회하는데 멀티비트 상변화 메모리가 도입될 경우 수명 문제도 기존보다 크게 개선될 수 있을 것으로 예상된다.
IBM의 멀티비트 상변화 메모리 테스트 칩은 90nm CMOS 공정으로 제작되고 있다. 최악의 상황에서 쓰기 레이턴시는 약 10 마이크로세컨드 (㎲, microseconds, 100만분의 1초)로 오늘날의 진보된 플래시 메모리보다도 100배 더 빠른 것으로 알려져 있다.
멀티비트 상변화 메모리는 여전히 개발이 진행중이며, 낸드플래시 기술로 상용화되기까지는 앞으로 최소 4-5년 이상이 소요될 것으로 예상된다.
새로운 멀티비트 상변화 메모리는 2016년 서버용으로 사용될 것으로 예상되며, 휴대폰의 노어 (NOR) 플래시 메모리 대체로 상변화 메모리가 도입될 것이라는 전망도 있다.
상변화 메모리 기술은 IBM 외에도 삼성전자 (Samsung)와 하이닉스 (Hynix), 마이크론 (Micron) 등도 보유하고 있는 기술로 인텔 (Intel) 역시 이 기술을 연구하고 있을만큼 차기 저장장치로의 효용성이 높은 것으로 알려져 있다.
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