지난 주 낸드 플래시 메모리를 포함, 중국 공장에 7십억 달러 규모의 투자 계획을 밝힌 삼성전자가, 이 중 10nm 급 낸드 플래시 메모리 생산을 위해 23억 달러 규모의 투자를 진행할 계획인 것으로 알려졌다.
xbit lab는, 삼성이 계획하고 있는 중국 투자의 일환으로, 급격히 증가하고 있는 낸드 플래시 메모리 수요를 대비하기 위해, 중국 서안에 10nm급의 낸드 플래시 메모리 생산을 위한 새로운 공장 건설을 위해 23억 달러를 우선 투자할 것으로 전했다.
중국은 한국의 낸드 플래시 생산을 위한 주요 기지인 동시에 다양한 전자 제품의 주요 생산국으로, 낸드 플래시의 가장 큰 소비처가 될 것으로 전망되며, 중국에 새로운 낸드 플래시 공장을 건설하는 것은 중장기적으로 봤을 때 합리적인 결정으로 판단된다.
정확한 공장 건설 계획과 공정 계선에 대한 내용은 전해지지 않았으나, 공장 건설과 새로운 공정에서의 시험 가동등을 감안하면 올해 안에 10nm급 낸드 플래시 양산이 시작되기는 어려울 것으로 보인다.
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