글로벌파운드리(Globalfoundries)가 최신 Fab 8에 칩 적층 기술을 차기 20nm 공정에 적용할 것이라고 밝혔다.
inquirer가 전한바에 따르면, 글로벌파운드리는 Fab 8에는 3D 트랜지스터 기술로 알려진 TSV(Through-Silicon Vias) 적용을 위한 작업을 진행해오고 있으며, TSV는 각 실리콘 웨이퍼를 수직홀과 구리를 이용해 연결, 기존 단층 2D 단층 구조에서 3D 복층 구조로 제작이 가능하다.
3D 트랜지스터 기술인 TSV의 경우 별도의 패키징이 필요한 2D 구조와 달리, 한 칩 안에 관련 컴포넌트들을 패키징 하므로 전력 감소 및 성능 향상, 패키징 비용 등을 줄일 수 있어 다양한 방식으로 활용이 가능하다.
TSV 기술 적용된 마이크론의 HMC
글로벌파운드리 Fab 8의 첫 TSVs 생산라인 도입은 3분기에 완료될 예정으로, 마이크론은 2011년 8월에 TSVs 기술을 도입한 HMC(Hybrid Memory Cube)를 발표한 바 있으며, 인텔 아이비브릿지의 경우 TSVs와는 다른 개념의 3D 트랜지스터 기술인 tri-gate가 적용되었다.
이 외에도 낸드 플래시 업체 쪽에서도 3D 기술 도입을 준비하는 등, 단순 미세 공정 도입으로는 점차 한계가 가까워오는 성능 향상과 발열, 소비전력 문제등을 해결하기 위해 반도체 업체들은 3D 기술 도입에 적극 나서고 있으며, 글로벌파운드리의 TSVs 공정이 성공적으로 도입될 경우 이러한 움직임이 보다 가속화될 것으로 전망된다.
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