삼성전자가 중국 산시(陝西)省 시안(西安)市에 차세대 낸드 플래시 메모리 반도체 생산라인 건설을 시작했다.
삼성전자는 12일 중국정부를 대표한 자오러지(赵乐际) 산시성 서기, 한국정부를 대표한 이규형 주중대사와 지경부 윤상직 차관 그리고 권오현 대표이사를 비롯한 삼성전자 경영진이 참석한 가운데 '삼성중국 반도체' 생산단지 건설을 알리는 기공식 행사를 가졌다.
이번에 삼성전자가 건설하는 시안 공장은 초기 투자금액 20억 달러, 총 투자 규모 70억 달러에 달하는 삼성전자 중국 투자 가운데 역대 최대 규모로 미국 오스틴 공장에 이은 두 번째 해외 진출이다.
삼성전자는 글로벌 IT 기업들의 주요 거점이자 최대 시장인 중국과 미국에 안정적인 생산체계 구축으로 시장변화에 보다 빠르게 대응할 수 있을 것으로 전망했으며, 중국 시안 공장에서는 2014년부터 10나노급 낸드플래시 메모리를 생산할 계획이다.
삼성전자의 시안 반도체 공장은 중국정부가 추진하는 서부대개발의 과학기술 중심도시가 시안이라는 점 외에도, 반도체 생산라인 운용에 필요한 산업 용수와 전기 공급이 원활하고, 37개의 대학교와 3,000여개의 연구 기관이 위치해 반도체 산업의 핵심인 우수인재 확보에도 용이한 것으로 알려졌다.
삼성전자는 이미 11일에 시안시에 위치한 서북공대와 MOU를 체결하여 반도체 관련 확과의 우수 학생들에게 장학금을 지급하고 국내 대학과의 교류를 지원하기로 했다.
삼성전자는 작년 화성 16라인을 준공한지 1년 만에 시안 생산 라인 건설에 착수함으로써 국내·외 균형있는 투자를 지속하고 있으며, 11일에 산시(陝西)성에서 유치한 투자환경설명회에 많은 삼성전자의 협력사가 참여하는 등 이번 삼성전자의 투자를 통해 160여개의 협력사들이 중국에 진출을 할 수 있는 계기가 마련되었다고 설명했다.
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