TSMC (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co.)는 최근 자사의 제조공정 로드맵을 공개했다.
TSMC가 공개한 공정 로드맵에는 2013년 적용 예정인 20nm 공정을 비롯해 차기 16nm와 10nm 공정 계획도 포함되었다고 xbitlabs는 전했다.
TSMC는 20nm 공정 기술을 기반으로 내년 SoC (System on Chip) 양산을 계획하고 있으며, 2013년 11월 16nm FinFET 공정 기술을 적용한 칩 생산 시작을 계획하고 있어 2014년과 2015년 사이 양산이 이루어질 것으로 예상했다.
16nm 공정을 이은 차기 공정은 10nm로 알려져 있으며, 이 제조 공정 기술은 2016년에 적용할 것으로 확인된다.
TSMC는 16nm FinFET 공정 기술을 도입한 ARM 기반 첫 64bit 프로세서인 ARMv8을 테스트 중이며 테스트 칩의 테입아웃이 2013년에 이루어질 것이라고 전했다. 16nm 디자인 킷은 2013년 IP 블록, 표준 셀과 SRAM 블록 등은 한달 이후 만들어질 것으로 알려졌다.
TSMC의 연구 개발장인 Cliff Hou는 TSMC의 16nm FinFET 공정은 20nm High-K Metal Gate Soc 공정과 상당부분 유사할 것이라고 밝혔다.
글로벌파운드리 (GlobalFoundries)를 통해 최근 소개된 14nm XM 공정은 모듈러 아키텍처 기반으로 14nm FinFET과 20nm LPM 공정 백엔드 라인 (BEOL, Back-End-of-Line)의 내부 구조가 조합된 것으로 알려졌다. 이러한 전환을 통해 20nm LPM 기술의 성숙된 공정을 바탕으로 빠른 시간에 시장에 투입이 가능해지고 소비자들의 저전력과 고성능을 기반으로 한 FinFET SoC의 혜택을 얻을 수 있을 것이라고 전했다.
한편 엔비디아 (NVIDIA)는 차기 프로세서인 코드명 맥스웰 (Maxwell) GPU를 20nm 급 공정을 도입할 것으로 알려졌으며, AMD도 차기 프로세서에서 비슷한 급의 공정을 도입할 것으로 예상된다. 글로벌파운드리 (Globalfoundries)와 삼성전자, TSMC의 20nm Gate Last HKMG 공정 기술 개발은 기존 미세공정처럼 순조롭지 만은 않을 것으로 알려졌고 AMD와 엔비디아 양사는 TSMC 외에 다른 파운드리사를 통해 차기 GPU를 제작할 수도 있다는 소식이 전해진 바 있다.
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