ÆÄ¿îµå¸® (Foundries) Á¦Á¶»çµéÀº ÃÖ±Ù ¹Ì¼¼°øÁ¤¿¡ ´ëÇÑ ¼ö¿ä Áõ°¡¿¡ ¸ÂÃß¾î ´Ù¾çÇÑ ¹Ì¼¼°øÁ¤ µµÀÔ¿¡ ¹ÚÂ÷¸¦ °¡Çϰí ÀÖ´Â °¡¿îµ¥ ±Û·Î¹úÆÄ¿îµå¸® (GlabalFoundries)¿¡ À̾î UMC (United Microelectronics Corp.)µµ 14nm FinFET °øÁ¤ ±â¼úÀ» µµÀÔÇÒ °ÍÀ¸·Î ¾Ë·ÁÁ³´Ù.
xbitlabs´Â UMC°¡ ±Û·Î¹úÆÄ¿îµå¸®¿Í °°Àº 14nm XM °øÁ¤ ±â¼úÀ» Áغñ ÁßÀÌ¸ç ±Û·Î¹úÆÄ¿îµå¸®Ã³·³ ¹é¿£µå ºÎºÐ¿¡ ÃÖÀûÈµÈ 20nm °øÁ¤ ±â¼úÀ» È¥ÇÕÇÑ ÇÏÀ̺긮µå ¹æ½ÄÀ» ÀÌ¿ëÇÒ °ÍÀ̶ó°í ÀüÇß´Ù. 14nm XM °øÁ¤ ±â¼úÀº ±Û·Î¹ú ÆÄ¿îµå¸®°¡ ¸ðµâ·¯ ±â¼ú ¾ÆÅ°ÅØÃ³ ±â¹ÝÀ¸·Î 14nm FinFET ÀåÄ¡¿¡ 20nm LPM °øÁ¤ ¹é¿£µå ¶óÀÎ (BEOL, Back-end-of-Line) ³»ºÎ È帧À» Á¦¾îÇÏ´Â ¹æ½ÄÀ¸·Î ¾Ë·ÁÁ³´Ù.

UMC Shih-Wei Sun CEO´Â IBM FinFET ¶óÀ̼¾½ÌÀ» ±â¹ÝÀ¸·Î 20nm ¸ÞÅ»°ú ´õÇØ 14nm FinFET ±â¼úÀ» °ø°ÝÀûÀÎ °³¹ß °èȹÀ» ¼¼¿üÀ¸¸ç 14nm FinFETÀº °í¼º´É°ú Àü·Â ÃÖÀûÈ ¼Ö·ç¼ÇÀ¸·Î ±âÁ¸ÀÇ ´õºí ÆÐÅÍ´× ¸®¼Ò±×·¡ÇÇ (Double Pattering Lithography)¿Í ºñ±³ÇØ °¡°ÝÀûÀ¸·Îµµ À¯¸®ÇÑ ¼Ö·ç¼ÇÀ» Á¦°øÇÒ ¼ö ÀÖÀ» °ÍÀ̶ó°í ÀüÇß´Ù.
UMC´Â 14nm XM ±â¼ú¿¡ ´ëÇØ ÀÚ¼¼ÇÑ °ø°³°¡ ÀÌ·ç¾îÁöÁö ¾Ê¾ÒÀ¸³ª ±Û·Î¹úÆÄ¿îµå¸®¿Í À¯»çÇÑ Á¢±Ù ¹æ¹ýÀ» Àû¿ëÇÒ °ÍÀ¸·Î ¿¹»óÇß´Ù. UMC´Â FinFET Æ®·£Áö½ºÅ͸¦ »ç¿ëÇÑ 20nm Á¦Á¶ ±â¼úÀÌ °æÀï»ç¿ÍÀÇ ¹Ì¼¼°øÁ¤ °æÀï¿¡¼ Áß¿äÇϸç 20nm ±â¼úÀÇ ºü¸¥ ½ÃÀå ÅõÀÔÀº FinFET Soc (System-on-chip) ¼Ö·ç¼ÇÀ» ã´Â °í°´µé¿¡°Ô ºü¸¥ ÀüȯÀ» ¹ÙÅÁÀ¸·ÎÇÑ ´Ù¾çÇÑ ÇýÅÃÀ» Á¦°øÇÒ °ÍÀ¸·Î ¿¹»óÇß´Ù.
±Û·Î¹úÆÄ¿îµå¸®´Â 14nm XM Á¦Á¶ °øÁ¤ÀÇ ¾ç»êÀ» 2014³â ½ÃÀÛÇÒ °ÍÀ¸·Î ¿¹»óµÇ³ª UMC´Â 14nm ³ëµå ±â¹ÝÀÇ Á¦Á¶ ½ÃÁ¡¿¡ ´ëÇØ¼´Â ¾ð±ÞµÇÁö ¾Ê¾Ò´Ù.
UMC´Â 2014³â ÃÊ 28nm HKMG °øÁ¤ ±â¼ú ±â¹ÝÀÇ Ä¨ ¾ç»ê °èȹÀ» ¼¼¿ì°í ÀÖ´Â °ÍÀ¸·Î ¾Ë·ÁÁ® °æÀï ÆÄ¿îµå¸®»çº¸´Ù ´ÊÃçÁö°í Àֱ⠴빮¿¡ 14nm FinFET ±â¼úÀº À̺¸´Ù ´õ ´Ê°Ô ½ÃÇàµÉ °ÍÀ¸·Î ¿¹»óÇß´Ù. È®½ÇÄ¡ ¾ÊÀ¸³ª ´ë¸¸ÀÇ ¹ÝµµÃ¼ Á¦Á¶»ç ÀϺεµ ³×ÀÌÆ¼ºê 14nm BEOL ±â¼ú ¹æ½Ä µµÀÔÀ» °èȹ ÁßÀÎ °ÍÀ¸·Î ¾Ë·ÁÁ³´Ù.
UMC´Â 20nm °øÁ¤°ú 14nm ±â¼ú °³¹ß¿¡ HV, Àκ£µðµå ºñÈֹ߼º ¸Þ¸ð¸®, BSI CMOS À̹ÌÁö ¼¾¼, 3D IC TSV ±â¼ú ¼Ö·ç¼Ç µîÀ» Á¦°øÇÏ´Â Çù·Â»ç¿Í ±ä¹ÐÇÑ Çù·ÂÀ» ¹ÙÅÁÀ¸·Î ¹Ì¼¼°øÁ¤ °³¹ßÀ» ÁøÇàÇÒ °èȹÀÌ´Ù.
|