Low-power Electronics Association & Project (LEAP)이 PRAM의 용량을 현재 SSD와 USB 메모리, SD 카드등의 플래시 메모리 기반 스토지에 사용되는 낸드 플래시 수준으로 확장할 수 있는 기술을 개발했다고 밝혔다.
이번 소식을 전한 tech-on에 따르면, PRAM의 용량 확대를 위해 크로스 포인트 방식이 주목 받고 있는데, PRAM에 저장된 데이터가 단방향 전류를 통해 재기록 가능하다는 점을 이용해 2개의 다이오드를 활용해 메모리에 기록하게 된다.
일반적인 PRAM은 재 기록을 위해 대량의 전류를 메모리 셀에 적용하고 있는데, 크로스 포인트 구조를 적용할 경우 PRAM의 재 기록을 위한 전류와 다이오드 크기를 줄일 수 있어 단위 면적당 저장 용량을 확대할 수 있다고 전했다.
현재 LEAP는 메모리 셀 PCM(Phase-Change Material)의 열 전도성을 낮추고 저항값을 높일 경우 메모리 셀의 재 기록 전류가 낮아질 수 있다는 것을 발견, 이들 물질의 열저항과 전도성을 최적화한 PCM 개발에 성공한 것으로 알려졌다.
또한 PCM 동작시 발생하는 열로 인한 내구성 확보를 위해 동작 온도의 한계를 150℃가까이 끌어올렸으며, 새로운 기술이 적용된 PRAM의 경우 재기록 1000만회를 보증한다고 밝혔다.
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