삼성전자에서 MRAM, PRAM등과 함께 차세대 비휘발성 메모리로 주목받고 있는 ReRAM(Resistive RAM)의 용량 확대를 위한 새로운 기술을 개발했다는 소식이 전해졌다.
크로스 포인트 ReRAM(좌) / VRRAM(우)
소식을 전한 tech-on에 따르면 삼성전자에서 개발한 이번 기술은 3D 기술을 응용해 Vertical ReRAM(VRRAM)이라고 불리며, 재기록에 필요한 전류를 1㎂까지 줄여 선택된 셀에 인접한 셀에 간섭을 방지하고, 비선형 전류-전압 특성을 갖는다고 밝혔다.
1000만회 이상의 재기록이 가능한 VRRAM은 단일 공정에서 메모리 셀들을 쌓아올리는 방식을 채택해 크로스 포인트 ReRAM대비 비용을 줄일 수 있는 것으로 알려졌으며, 기존 ReRAM 대비 대용량 구현이 가능하다.
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