¾ÖÇÃÀÇ »õ·Î¿î ¸ð¹ÙÀÏ ÇÁ·Î¼¼¼ »ý»ê ¾÷ü°¡ µÉ °ÍÀ¸·Î ¿¹»óµÇ´Â ´ë¸¸ÀÇ ¹ÝµµÃ¼ Á¦Á¶¾÷ü TSMC°¡ ³»³â¿¡ ½Ã¼³ ÅõÀÚ¸¦ À§ÇØ 90¾ï ´Þ·¯ÀÇ ¿¹»êÀ» Ã¥Á¤ÇÑ °ÍÀ¸·Î ¾Ë·ÁÁ³´Ù.
Digitimes¿¡ µû¸£¸é TSMCÀÇ È¸Àå°â CEO ¸ð¸®½º â(Morris Chang)Àº ³»³â¿¡ ¿ÃÇØº¸´Ù 8.4% Áõ°¡ÇÑ 90¾ï ´Þ·¯ÀÇ ½Ã¼³ ÅõÀÚ °èȹÀ» ¹àÇûÀ¸¸ç ÀÌ °¡¿îµ¥ R&D ºñ¿ëÀº ¿ÃÇØ »ç¿ëµÈ 13¾ï 7õ¸¸ ´Þ·¯º¸´Ù Áõ°¡ÇÑ 16¾ï ´Þ·¯°¡ µÉ °ÍÀ̶ó°í ¹àÇû´Ù. ¶ÇÇÑ TSMCÀÇ ¸ÅÃâÀº ¿ÃÇØº¸´Ù 15~20%°¡ Áõ°¡ÇÒ °ÍÀ̶ó°í ¸»Çß´Ù.
¸ð¸®½º â ȸÀåÀº ±Û·Î¹ú Àüü ¹ÝµµÃ¼ ¸ÅÃâÀÌ Áö³ ÇØ¿¡ ºñÇØ ¿ÃÇØ 2%°¡ Áõ°¡ÇßÁö¸¸ ³»³â¿¡´Â 3% °¡·® ¼ºÀåÇÒ °ÍÀ¸·Î ¿¹»óÇßÀ¸¸ç, IC µðÀÚÀÎ ºÐ¾ßÀÇ ±Û·Î¹ú ¸ÅÃâ ¼ºÀåÀº À̺¸´Ù ºü¸¥ 9%°¡ µÉ °ÍÀ¸·Î Àü¸ÁÇß´Ù.
TSMC´Â 28nm ÆÄ¿îµå¸® °øÁ¤À¸·Î ¸Å¿ù 68,000ÀåÀÇ 12ÀÎÄ¡ ¿þÀÌÆÛ¸¦ »ý»êÇϰí ÀÖÀ¸¸ç 28nm »ý»ê·®ÀÌ ¿ÃÇØ 3ºÐ±â¿Í 4ºÐ±â ½ÃÀåÀÇ ¼ö¿ä¸¦ ÃæÁ·½ÃÄ×´Ù°í ¼³¸íÇß´Ù.
¶ÇÇÑ 2013³â¿¡´Â 28nm ¿ë·®ÀÇ Àüü Ȱ¿ëÀ» ±â´ëÇßÀ¸¸ç, °í±Þ Á¦Á¶ °øÁ¤À¸·Î´Â 20nm SoC¿Í 10nm FinFET, ±×¸®°í 3D IC¸¦ °³¹ßÇϰí ÀÖ´Ù°í ¹àÇû´Ù.
ÇöÀç ¾ÖÇÃÀº ÀÚ»çÀÇ ¸ð¹ÙÀÏ ÇÁ·Î¼¼¼ »ý»êÀ» »ï¼ºÀüÀÚ ´Üµ¶ »ý»ê¿¡¼ TSMC·Î ´Ùº¯ÈÇÏ·Á´Â ¿òÁ÷ÀÓÀ» º¸À̰í ÀÖÀ¸¸ç, ÀϺο¡¼´Â ¾ÖÇÃÀÌ TSMC 20nm SoC °øÁ¤ÀÌ ¿Ï¼ºµÇ±â Àü¿¡ 28nm °øÁ¤À» ÀÌ¿ëÇØ ³»³âºÎÅÍ ¸ð¹ÙÀÏ ÇÁ·Î¼¼¼ °ø±ÞÀ» ¹ÞÀ» °ÍÀ¸·Î ¿¹»óÇϰí ÀÖ´Ù.
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