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전송 2025-11-18 10:41
[뉴스]

삼성 2nm GAA 공정 성과 공개, 전력 효율 8% 개선에 수율 대폭 향상

삼성이 차세대 반도체 제조 기술인 2nm GAA(게이트 올 어라운드) 공정에 대한 성능과 효율 개선 수치를 공식적으로 내놓았다.


3분기 실적 보고서를 통해 공개한 내용에 따르면, 2nm GAA 공정은 기존 3nm 공정 대비 선응은 약 5%, 전력 효율은 약 8%, 면적은 약 5% 개선되었다. 추가로 양산을 위한 수율은 초기 30% 대에서 최근 50% ~ 60% 수준까지 상승하면서, 2nm 공정 진입 준비 상황을 전했다.

삼성이 공개한 2nm 공정 상황은 수율 개선과 공정 안정화가 언급된 만큼 양산을 위한 기반이 마련되된 것으로 해석할 수 있다. 특히 모바일 AP, AI 가속기, HPC 분야에서 고객사 요청이 증가하는 현 상황에서 2nm 노드가 하나의 옵션으로 부상할 가능성이 있다.

단지, 성능과 물량 확대와 밀접한 면적 개선율이 5% 수준에 그쳐 미진하다는 평과 함께, 상업적 규모의 양산을 위한 검증 및 수율 개선이 뒤따라야 할 것으로 평가되는데, 2026년 출시될 갤럭시 S26 시리즈에 탑재될 엑시노스 2600이 해당 공정을 이용하는 것으로 알려져 있어, 조만간 삼성의 2nm 공정에 대한 시장의 판단이 나올 것으로 보인다.

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