삼성전자가 14나노(nm) 공정의 첫 테스트칩을 생산했다.
삼성전자는 보도자료를 통해 ARM을 비롯해 Cadence, Mentor, Synopsis 등 4개사와 공동으로 14나노 FinFET 공정에 최적화된 최신 IP 및 설계 툴을 사용하여 저전력 공정 구현에 성공했다고 밝혔다.
삼성전자는 이들 파트너사와 기존 32nm 및 28nm HKMG (High-K Metal Gate) 공정에서 협력해 왔으며, 이번에 14나노 생산을 위해 일종의 생태계(Eco-System)를 구축하고 첫 테스트 칩을 생산했다.
이번에 생산된 테스트 칩은 ARM의 Cortex-A7 CPU 코어를 기반으로 14나노 FinFET 기술을 적용해 누수 전력을 줄이고 에너지 효율을 크게 높인 것이 특징이다.
FinFET(핀펫) 기술이란 기존의 반도체를 구성하는 소자의 구조가 2차원적인 평면구조였던 것에 반해, 누설전류를 줄일 수 있도록 3차원 입체구조로 소자를 만드는 기술이다. 3차원 입체구조에 적용되는 게이트의 모양이 물고기 지느러미(Fin)와 비슷하여 FinFET이라 불린다.
삼성전자 시스템LSI사업부 최규명 전무는 "14나노 FinFET 공정은 높은 성능과 저소비전력을 통해 PC 수준의 모바일환경 구현 가능성을 높일 것이다"며 "14나노 공정기술 적용을 위한 다양한 요건을 충족시켜 고객사로 하여금 최신 제품을 빠르고 효율적으로 출시할 수 있도록 지원할 것"이라고 말했다.
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