UCLA 연구진들이 MRAM의 동작 전압과 용량을 개선시킬 새로운 기술을 발견했다고 밝혔다.
현재 MRAM에는 전자의 회전에 의해 발생하는 자기장 효과를 이용한 STT(spin-transfer torque) 기술이 사용되고 있는데, 이 과정에서 발열과 이로 인한 인접 셀 간섭 문제로 용량 확보에 어려움을 겪고 있는 것으로 알려졌다.
반면, UCLA에서 공개한 기술은 전자의 이동에 전류를 이용하는 방식 대신 전압을 사용해 STT 방식 대비 최소 10배에서 최대 1000배까지 에너지 효율을 높이고, 발열을 줄여 저장용량은 5배 이상 높일 수 있는 것으로 소개하고 있다.
이번 기술은 2012 IEEE International Electron Devices Meeting에서 'Voltage-Indeced Switching of Nanoscale Magnetic Tunnel Junctions'이라는 논문으로 공개되었으며, 자세한 내용은 UCLA 홈페이지에서 확인할 수 있다.
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