삼성전자가 엔터프라이즈 시장을 타겟으로 하는 세계 최초 3D V-NAND 기반 SSD를 출시했다. 삼성전자는 보도자료를 통해 업계 선도적인 3D V-NAND 기술을 기반으로 하는 첫 번째 SSD 제품을 이달 초부터 양산에 들어갔다고
밝혔다. 
3차원 수직구조 낸드(3D Vertical NAND) 플래시 메모리는 최근 10나노급 공정 도입으로 셀간 간격이 좁아지면서 전자가 누설되는
간섭 현상을 해결하기 위해 단층으로 배열된 셀을 3차원 수직으로 적층하는 방식이다. 삼성전자가 개발한 3차원 원통형 CTF셀 구조 기술을 통해
전하를 안정적인 부도체에 저장해 위 아래 셀간 간섭 영향을 대폭 줄였다. 또한 기존의 20나노급 평면 낸드 플래시 기술에 비해 2배 이상의 제조
생산성 향상을 달성한 것으로 알려졌다. 삼성전자는 지난 8월 6일 3차원 원통형 CTF 셀구조와 3차원 수직적층 공정 기술이 동시 적용된 128Gb 낸드 플래시 메모리 제품
양산을 발표한데 이어 이 제품이 적용된 엔터프라이즈용 SSD를 출시함으로써 시장 공략을 가속화할 것으로 보인다. 삼성전자의 3D V-NAND SSD는 960GB 용량과 480GB 용량 제품으로 출시되며 960GB 모델의 경우 연속 및 랜덤쓰기 속도가
20%가 향상된 최고 수준의 성능을 제공한다. SATA 6Gbps 인터페이스를 지원하며 2.5인치 규격으로 만들어졌고 SSD 수명도 일반 MLC
SSD보다 높은 35,000회(35K) P/E 사이클(program erase cycle)을 제공한다. 삼성전자 측은 앞으로도 다양한 고객의 요구를 충족하기 위해 향상된 성능의 차세대 V-NAND 제품을 선보일 것이라고 언급했다.
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