인텔은 지난해 경쟁 파운드리사와 비교해 자사의 공정 기술이 3년 6개월이 앞서고 있다고 언급해 경쟁사를 앞서나가고 있음을 밝혔는데 TSMC는 인텔과 비교해 자사의 미세공정 기술도 크게 떨어지지 않음을 강조했다.
소식을 전한 expreview는 TSMC의 말을 인용 인텔과 자사의 공정 기술이 크게 나쁘지 않은 상황이며 지속적인 개선이 이루어지고 있다고 전했다. 그에 대한 근거로 자사의 공정 기술을 포함한 로드맵을 공개했다.
최근 열린 컨퍼런스에서 모리스 창 TSMC 회장은 자사의 기술력이 인텔과 비교해도 부족하지 않은 수준이며 인텔이 32nm, 22nm, 14nm FinFET 공정을 도입하는 가운데 TSMC도 28nm, 20nm, 16nm FinFET을 순서대로 실현해나가고 있다고 전했다.
또 공정 기술 로드맵을 인용해 자사가 공개한 로드맵이 사실이며 인텔이 공개한 공정 기술 자료는 원래보다 2년이 더 긴 기간을 과장해서 전달했다고 언급했다. 이어 16nm FinFET 기술 이후 TSMC는 10nm 공정의 3세대 FinFET을 개발해 인텔과 비슷한 시기의 10nm 공정 도입이 가능할 것으로 예상해 인텔과의 공정 기술 격차는 더 좁혀질 것으로 전망했다.
TSMC는 현재 모바일 프로세서 생산의 가장 큰 반도체 중의 하나로 고성능을 위한 미세공정 도입이 활발하게 이루어지고 있다. 또 2014년 상반기 20nm 공정 기반 칩의 양산을 시작했다고 밝힌 바 있어 올해에는 28nm 공정을 이어 20nm 공정의 다양한 공급이 예상된다. 2015년에는 20nm 공정과 호환되는 16nm FinFET을 출시해 성능을 개선하고 코어 면적을 15% 가량 줄일 수 있을 것으로 소개했다.
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