최근 일반적으로 많이 사용되어온 기존 낸드 플래시 (NAND Flash)를 대체할 것으로 알려진 3D 낸드 플래시 기술이 개발 중인 것으로 알려진 가운데 마이크론 (Micron)도 이를 위해 대규모 투자가 이루어질 것이라는 소식이다.
소식을 전한 expreview는 마이크론은 인텔과 협력을 통해 3D 낸드 플래시를 지난해 하반기 공개한 바 있으며 양산 단계에 접어들고 있는데 최근 양산 등을 고려 40억 달러를 투자할 계획이라고 전했다.
그에 따르면 마이크론은 인텔과 개발한 2세대 3D 낸드 플래시 메모리의 양산을 위해 싱가포르 Fab 10에 40억 달러 (4bilion)를 투자할 계획이며 양산은 내년 말이 될 것으로 예상했다. 싱가포르의 마이크론 Fab 10N 웨이퍼 공장은 한달에 14만장의 생산이 가능하며 새로 건설하는 Fab 10X에서는 2세대 3D 낸드 플래시를 14만장 생산할 예정이다. 효율이 기존 2D 방식보다 높아 매년 용량은 40-50% 증가할 것으로 전망했다.
2세대 3D 낸드 플래시는 최대 32층을 적층 가능하고 다이용량은 256Gb, 이를 통해 2mm 두께의 TLC 칩으로 1TB 구성도 가능해진다. 마이크론은 16nm 이후 3D 낸드에 주력하고 있으며 2016년 4분기 완료, 2015년에는 5억 달러를 우선 투자할 계획이라고 전했다.
현재 전통적인 평면 구조의 낸드 플래시는 16/ 15nm 공정 이후 한계에 도달할 것으로 알려졌으며 그에 따라 3D 낸드 플래시가 대안으로 떠오르고 있다. 삼성은 2세대 V-NAND 기술을 발표했고 양산을 통해 850 Pro와 850 EVO 시리즈를 시장에 출시했다. 도시바 (Toshiba)와 샌디스크 (Sandisk)도 이를 개발 중이며 일본의 Fab2 공장을 확장해 3D 낸드 플래시 생산을 준비하고 있는 것으로 알려졌다.
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