인텔(Intel)과 마이크론(Micron)이 3D NAND(낸드) 플래시 기술로 10TB(테라바이트) SSD를 선보였다.
마이크론과 인텔은 26일(현지시간) 보도자료를 통해 3D NAND 기술을 통해 세계에서 가장 높은 밀도를 가진 플래시 메모리를 선보였다고 밝혔다.
양사가 공동 개발한 새로운 3D NAND 기술은 데이터 스토리지 셀을 수직으로 레이어를 쌓아 경쟁 3D NAND 기술보다 3배 많은 고용량 구현이 가능하다. 이를 통해 모바일 소비자 기기부터 엔터프라이즈 시장까지 플래시 솔루션이 사용되는 분야에서 작은 크기에 더 많은 용량을 담을 수 있고, 비용 절감 효과를 가져오며, 저전력으로 고성능을 제공할 수 있다.
인텔은 메모리 업계에서 사용하던 평면형 NAND 플래시 메모리는 스케일링 한계에 근접하면서 고용량 제품을 만드는데 어려움이 있었지만 3D NAND 기술은 플래시 스토리지 솔루션에서도 무어의 법칙을 연장시켜 지속적인 성능 향상과 비용 절감으로 광범위한 플래시 스토리지 활용이 가능해졌다고 언급했다.
새로운 3D NAND 기술은 플래시 셀을 수직으로 32레이어로 쌓아서 표준 패키지에 들어가는 256Gb(32GB) MLC 또는 384Gb(48GB) TLC 다이를 만들 수 있다. 이런 용량 증가는 껌 스틱 형태의 3.5TB SSD를 만들 수 있으며 표준 2.5인치 SSD 크기에 10TB 이상의 대용량 구현이 가능하다.
인텔은 새로운 3D NAND 기술이 GB당 비용을 절감하고 읽기/쓰기 대역폭과 I/O 속도, 랜덤 읽기 성능이 빨라졌으며, 새로운 슬립 모드로 사용하지 않는 NAND 다이의 전력을 차단해 저전력 사용이 가능하며 응답시간을 개선하고 이전 세대보다 수명(내구성)을 향상시키고 시스템 통합을 쉽게 만들었다고 설명했다.
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