삼성전자가 업계 최초로 10나노(nm) 로직 공정 양산에 들어갔다.
삼성전자는 17일 보도자료를 통해 지난 해 1월 모바일 AP(애플리케이션 프로세서)에서 업계 최초로 14나노 공정 양산을 시작한 데 이어, 이번에 전체 시스템 반도체 업계에서 최초로 10나노 로직 공정(10nm FinFET) 양산을 시작하며 시스템 반도체 분야에서 최첨단 공정 리더십을 확보했다고 밝혔다.
이번에 양산을 시작한 10nm FinFET 1세대 공정(10LPE) 어드밴스드 3D 트랜지스터 구조를 채택해 기존 14나노 1세대 대비 성능은 27% 개선하고, 소비전력은 40% 절감했으며 웨이퍼당 칩 생산량을 약 30% 향상된 것으로 나타났다.
삼성전자 측은 10나노 공정 양상을 위해서는 14나노 공정보다 훨씬 정교하고 미세한 회로를 그려넣는 패터닝 작업이 필요한데, 기존 장비를 활용해 패터닝 과정을 세 번 반복하는 트리플패터닝 기술을 적용, 미세공정의 한계를 극복하고 설계 유연성을 확보했다고 설명했다.
또한 이번에 10나노 1세대(10LPE) 공정 양산을 시작으로 성능을 향상시킨 2세대(10LPP) 공정을 2017년 양산 목표로 개발 중이며, 2세대 이후에도 지속적인 성능 개선과 파생공정 확대를 통해 10나노 공정을 장기간 활용할 계획이라고 말했다.
그 외에 삼성전자는 고객 및 파트너사와의 협업을 통해 10나노 공정의 디자인 설계 툴을 검증하고, 고객들이 제품을 개발하는데 도움을 주는 제품 레벨 디자인 키트와 IP 디자인 키트를 제공하는 등 파운드리 에코 시스템을 확대해 나가고 있다고 덧붙였다.
삼성전자 S.LSI 사업부 파운드리 사업팀장 윤종식 부사장은 “이번 10나노 로직 공정 양산으로 삼성전자의 미세 공정기술이 업계 최고 수준임을 다시 한 번 입증했다”며 “앞으로도 지속적인 기술혁신을 통한 미세 공정 기술 확보는 물론 고객에게 차별화된 반도체 솔루션을 제공해 시스템 반도체 사업을 발전시켜 나갈 것”이라고 밝혔다.
삼성전자의 10나노 로직 공정이 적용된 제품은 내년 초 출시될 IT 신제품 탑재를 시작으로 다양한 고객과 제품으로 확대될 예정이다.
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