삼성전자가 '8nm 파운드리' 공정 개발을 완료했다.
삼성전자는 18일 보도자료를 통해 10nm 2세대 공정을 기반으로 한 8nm 파운드리 공정 개발을 완료하며 본격적인 양산 준비를 마쳤다고 밝혔다.
삼성전자는 그간 양산을 통해 축적한 공정 노하우를 바탕으로 8나노 공정 수율도 빠르게 안정화 시킬 계획이라고 밝혔다. 특히 14nm와 10nm에 이어 이번 8nm 공정 개발 역시 퀄컴과 협력을 지속하고 있다고 밝혀 내년에 출시될 차세대 스냅드래곤 플래그십 프로세서 역시 삼성전자에서 생산할 예정임을 내비쳤다.
8nm 파운드리 공정(8LPP, Low Power Plus) 공정은 삼성전자 파운드리 로드맵상 EUV(Extreme Ultra Violet, 극자외선)가 처음 도입되는 7nm 공정 직전 공정에 해당되는데, 10nm 2세대 공정(10LPP) 대비 전력효율은 10% 향상되고 면적은 10% 축소되어 모바일, 네트워크, 서버, 가상화폐 채굴 등에 필요한 고성능 프로세서에 적합하다.
삼성전자는 지난 해 10월 업계 최초로 10nm 1세대 공정(10LPE) 제품 양산을 시작해 올해 출시된 플래그십 스마트폰에 탑재된 스냅드래곤 835 및 엑시노스 8895에 이를 적용한 바 있다.
그러나 EUV 장비 도입이 늦어지면서 10nm 공정에서만 3세대(LPE-LPP-LPU) 공정 기술을 적용하는 삼성전자와 달리 경쟁업체들이 10nm 공정을 건너뛰고 바로 7nm 공정으로 넘어갈 계획을 세우자 올해 상반기에 10nm와 7nm 공정 기술 외에 8nm, 6nm, 5nm, 4nm까지 거의 모든 단계별 파운드리 공정 기술을 로드맵에 올리겠다는 계획을 밝히기도 했다.
삼성전자 파운드리 로드맵에 따르면 8LPP (8nm Low Power Plus) 공정은 EUV(Extreme Ultra Violet) 리소그래피로 전환하기 전에 가장 경쟁력 있는 스케일링 이점을 제공하며, 삼성의 10nm 기술 핵심 공정 혁신을 결합해 10LPP에 비해 성능 및 게이트 밀도 영역에서 추가적인 이점을 제공한다.
7LPP (7nm Low Power Plus)는 EUV 리소그래피 솔루션을 사용하는 최초의 반도체 공정 기술이다. 대량생산에 EUV가 사용될 수 있는 가장 중요한 최대 250W EUV 소스 전력을 삼성전자와 ASML이 공동 개발했다. 삼성전자는 EUV 리소그래피 배치가 무어의 법칙 스케일링 장벽을 깨고 단일 나노미터 반도체 기술을 위한 길을 열어줄 것으로 기대하고 있다.
6LPP (6nm Low Power Plus)는 EUV 기반 7LPP 기술 위에 삼성전자 고유의 스마트 스케일링 솔루션을 채택해 면적 확장 및 초저전력 혜택을 제공한다.
5LPP (5nm Low Power Plus)는 FinFET 구조의 물리적인 스케일링 한계를 확장해 더 나은 스케일링 및 전력 감소를 제공하는 차세대 공정인 4LPP 기술 혁신을 구현하기 위한 과정이다.
4LPP (4nm Low Power Plus)는 차세대 디바이스 아키텍처에 들어가는 MBCFET (Multi Bridge Channel FET) 구조를 첫 번째로 구현한다. MBCFET은 기존의 FinFET 아키텍처의 물리적인 스케일링 및 성능 제한을 극복하기 위해 나노시트(Nanosheet) 디바이스를 사용하는 삼성전자 고유의 GAAFET (Gate All Around FET) 기술이다.
한편, 삼성전자는 올해 미국, 한국, 일본에 이어 10월18일(현지) 독일 뮌헨에서 개최하는 '삼성 파운드리 포럼'에서 글로벌 고객과 파트너사를 대상으로 8나노 공정 개발 현황을 포함한 삼성전자의 첨단 파운드리 공정 로드맵을 발표할 예정이다.
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